English

Stabil Qualitéit Halbleiter Siliziumkarbid Boot, Wafer Carrier

Stabil Qualitéit Halbleiter Silicon Carbide Boot, Wafer Carrier Featured Image
  • Stabil Qualitéit Halbleiter Siliziumkarbid Boot, Wafer Carrier

Kuerz Beschreiwung:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir d'Hallefleiterproduktioun ze liwweren,photovoltaik Industriean aner verbonne Felder.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Als zouverléissege Fournisseur verstinn mir d'Wichtegkeet vun Verbrauchsmaterial am Fabrikatiounsprozess, a mir verpflichte Produkter ze liwweren déi den héchste Qualitéitsnormen entspriechen fir d'Bedierfnesser vun eise Clienten ze erfëllen.


Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide ass eng nei Zort Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte.Wéinst Features wéi héich Stäerkt an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen.Dofir sinn SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SIC.E puer normal Applikatioun déi mir ubidden sinn Dichtungsringen fir Pompel, Ventil a Schutzrüstung etc.

Mir sinn fäeg ze designen an ze fabrizéieren no Äre spezifesche Dimensiounen mat gudder Qualitéit a raisonnabel Liwwerzäit.

Siliciumcarbid Boot (5)

AVirdeeler:

Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz

Excellent Corrosion Resistenz

Gutt Abrasion Resistenz

Héich Koeffizient vun der Wärmeleitung
Self-lubricity, niddereg Dicht
Héich hardness
Benotzerdefinéiert Design.

Uwendungen:

-Verschleißbeständeg Feld: Busch, Plack, Sandstrahldüse, Zyklonfassung, Schleiffass, asw ...

-Héichtemperaturfeld: siC Plack, Quenching Furnace Tube, Radiant Tube, Crucible, Heizelement, Roller, Beam, Heat Exchanger, Cold Air Pipe, Brenner Nozzle, Thermocouple Protection Tube, SiC Boot, Kiln Auto Structure, Setter, etc.

-Militär Bulletproof Feld

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC Wafer Boot, sic Chuck, sic Paddel, sic Kassett, sic Diffusiounsröhr, Wafer Gabel, Saugplack, Guideway, etc.

-Silicon Carbide Seal Field: all Zorte vun Dichtungsring, Lager, Busch, etc.

-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.

-Lithium Batterie Feld

Siliciumcarbid Wafer Boot (1)

Technesch Parameteren:

Foto 2

Material Dateblatt

材料Material

R-SiC

使用温度Aarbechtstemperatur (°C)

1600°C (氧化气氛Oxidéierend Ëmfeld)

1700°C (还原气氛Ëmfeld reduzéieren)

SiC含量SiC Inhalt (%)

> 99

自由Si含量Gratis Si Inhalt (%)

< 0.1

体积密度Bulk Dicht (g/cm3)

2,60-2,70

气孔率Scheinbar Porositéit (%)

< 16

抗压强度Kraaft Kraaft (MPa)

> 600

常温抗弯强度Kale Béie Kraaft (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Hot Béie Stäerkt (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Thermesch Expansiounskoeffizient @1500°C (10-6/°C)

4,70

导热系数Wärmekonduktivitéit @1200°C (W/m•K)

23

杨氏模量Elastesche Modul (GPa)

240

抗热震性Wärmeschockbeständegkeet

很好Extrem gutt
  • virdrun:
  • Nächste:

    • Zesummenhang PRODUITEN