Industrie Neiegkeeten

  • Applikatioun Perspektiven vun Silicon Carbide Wafer Boote am Halbleiterfeld

    Applikatioun Perspektiven vun Silicon Carbide Wafer Boote am Halbleiterfeld

    Am Halbleiterfeld ass d'Materialwahl kritesch fir d'Performance vum Apparat an d'Prozessentwécklung.An de leschte Joeren hunn Siliziumkarbidwaferen, als opkomende Material, verbreet Opmierksamkeet ugezunn an hunn e grousst Potenzial fir d'Applikatioun am Halbleiterfeld gewisen.Silico...
    Liest méi
  • Uwendungsperspektive vu Siliziumkarbidkeramik am Beräich vun der photovoltaescher Solarenergie

    Uwendungsperspektive vu Siliziumkarbidkeramik am Beräich vun der photovoltaescher Solarenergie

    An de leschte Joeren, wéi d'global Nofro fir erneierbar Energie eropgaang ass, ass photovoltaesch Solarenergie ëmmer méi wichteg ginn als propper, nohalteg Energieoptioun.An der Entwécklung vun der Photovoltaiktechnologie spillt d'Materialwëssenschaft eng entscheedend Roll.Ënnert hinnen, Siliziumkarbid Keramik, ...
    Liest méi
  • Virbereedung Method vun gemeinsam TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler

    Virbereedung Method vun gemeinsam TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler

    PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) Method: Bei 900-2300 ℃, benotzt TaCl5 a CnHm als Tantal a Kuelestoffquellen, H₂ als reduzéierend Atmosphär, Ar₂as Trägergas, Reaktiounsdepositiounsfilm.D'preparéiert Beschichtung ass kompakt, eenheetlech an héich Rengheet.Wéi och ëmmer, et ginn e puer Probleemer ...
    Liest méi
  • Uwendung vun TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler

    Uwendung vun TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler

    PART / 1 Crucible, Somhalter a Guidering am SiC an AIN Eenkristallofen goufen duerch PVT Method ugebaut. déi relativ niddreg Temperaturregioun, de SiC r ...
    Liest méi
  • Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅱ)

    Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅱ)

    Véiert, Physical Vapor Transfer Method Physical Vapor Transport (PVT) Method staamt aus der Dampphase Sublimatiounstechnologie erfonnt vu Lely am Joer 1955. De SiC Pulver gëtt an engem Grafitröhre plazéiert an op héich Temperatur erhëtzt fir de SiC Pow ze zersetzen an ze subliméieren ...
    Liest méi
  • Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅰ)

    Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅰ)

    Éischtens, d'Struktur an d'Eegeschafte vum SiC Kristall.SiC ass eng binär Verbindung geformt vum Si Element a C Element am Verhältnis 1: 1, dat heescht 50% Silizium (Si) a 50% Kuelestoff (C), a seng Basisstrukturell Eenheet ass SI-C Tetrahedron.Schematesch Diagramm vu Siliziumkarbidtetraëder ...
    Liest méi
  • Virdeeler vun Tantalkarbidbeschichtung an Halbleiterprodukter

    Virdeeler vun Tantalkarbidbeschichtung an Halbleiterprodukter

    Mat dem kontinuéierleche Fortschrëtt vun der Wëssenschaft an der Technologie spillen Hallefleitprodukter eng ëmmer méi wichteg Roll an eisem Liewen.Am Hallefleitproduktiounsprozess ass d'Applikatioun vun der Beschichtungstechnologie ëmmer méi wichteg ginn.Als Material breet ...
    Liest méi
  • Siliziumkarbiddüsen an der elektronescher Halbleiterfabrikatioun

    Siliziumkarbiddüsen an der elektronescher Halbleiterfabrikatioun

    Siliziumkarbiddüsen spillen eng wichteg Roll an der elektronescher Halbleiterfabrikatioun.Si sinn en Apparat benotzt fir Flëssegkeeten oder Gasen ze sprëtzen, dacks fir naass chemesch Behandlung an der Hallefleitfabrikatioun benotzt.Sic Düse huet d'Virdeeler vun héijer Temperaturresistenz, ...
    Liest méi
  • Exzellent Leeschtung vum Siliziumcarbid Kristallboot an héijer Temperaturëmfeld

    Exzellent Leeschtung vum Siliziumcarbid Kristallboot an héijer Temperaturëmfeld

    Siliziumkarbid Kristallboot ass e Material mat exzellenten Eegeschaften, weist aussergewéinlech Hëtzt- a Korrosiounsbeständegkeet an héijen Temperaturen Ëmfeld.Et ass eng Verbindung besteet aus Kuelestoff a Silizium Elementer mat héijer Hardness, héije Schmelzpunkt an exzellenter Therm ...
    Liest méi
  • Entdeckt déi eenzegaarteg Eegeschaften an Uwendunge vu Glaskuelestoff

    Entdeckt déi eenzegaarteg Eegeschaften an Uwendunge vu Glaskuelestoff

    Kuelestoff ass ee vun den allgemengsten Elementer an der Natur, déi d'Eegeschafte vu bal all Substanzen op der Äerd ëmfaasst.Et weist eng breet Palette vu Charakteristiken, sou wéi variéierend Härheet a Weichheet, Isolatioun-Halbleiter-Superleitungsverhalen, Wärmeisolatioun-Superleitung, a Li ...
    Liest méi
  • Semicera stellt innovativ Graphit Produkter vir, déi aussergewéinlech Léisunge fir d'Industrie ubidden

    Semicera stellt innovativ Graphit Produkter vir, déi aussergewéinlech Léisunge fir d'Industrie ubidden

    Semicera, e weltwäite Leader an der Fabrikatioun vu Graphitprodukter, huet viru kuerzem de Start vun enger Rei vun innovative Produkter ugekënnegt, déi aussergewéinlech Léisunge fir d'Industrie liwweren.Als féierend Firma an dësem Beräich ass Semicera engagéiert fir qualitativ héichwäerteg a performant Grafitprofi ...
    Liest méi
  • Wat sinn Power Semiconductors?De schnelle Wuesstum vun dësem Maart verstoen!

    Wat sinn Power Semiconductors?De schnelle Wuesstum vun dësem Maart verstoen!

    Als ee vun de féierende Firmen an der Industrie ass Semicera engagéiert fir innovativ Léisunge fir eise Clienten ze bidden.An dësem Artikel wäerte mir d'Konzept vu Kraafthalbleiter entdecken an e Verständnis kréien firwat dëse Maart séier Wuesstum erliewt.Power Semiconduc verstoen ...
    Liest méi
12345Nächst >>> Säit 1 / 5