CVD SiC Beschichtung
Siliziumkarbid (SiC) Epitaxie
Den epitaxiale Schacht, deen de SiC Substrat hält fir d'SiC epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
Den ieweschten Hallefmound-Deel ass en Träger fir aner Accessoiren vun der Reaktiounskammer vun der Sic-Epitaxie-Ausrüstung, wärend den ënneschten Hallefmound-Deel mat dem Quarzröhr verbonnen ass, de Gas agefouert fir d'Susceptorbasis ze rotéieren.si sinn Temperaturkontrolléierbar an an der Reaktiounskammer installéiert ouni direkten Kontakt mat der Wafer.
Si Epitaxie
De Schacht, deen de Si Substrat hält fir d'Si epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
De Virheizungsring ass um baussenzege Ring vum Si epitaxialen Substratschacht a gëtt fir Kalibrierung an Heizung benotzt.Et gëtt an der Reaktiounskammer plazéiert a kontaktéiert net direkt mat der Wafer.
En epitaxialen Susceptor, deen de Si Substrat hält fir eng Si epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
Epitaxial Faass ass Schlësselkomponenten, déi a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser benotzt ginn, allgemeng an MOCVD Ausrüstung benotzt, mat exzellenter thermescher Stabilitéit, chemescher Resistenz a Verschleißbeständegkeet, ganz gëeegent fir an Héichtemperaturprozesser ze benotzen.Et kontaktéiert de Wafer.
| 重结晶碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
| 性质 / Property | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 使用温度 / Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéiert Ëmfeld) |
| SiC 含量 / SiC Inhalt | > 99,96% |
| 自由 Si 含量 / Gratis Si Inhalt | <0.1% |
| 体积密度 / Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率 / Scheinbar Porositéit | < 16% |
| 抗压强度 / Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
| 常温抗弯强度 / Kale Béiestäerkt | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度 Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数 / Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数 / Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
| 杨氏模量 / Elastesche Modul | 240 GPa |
| 抗热震性 / Wärmeschockresistenz | Extrem gutt |
| 烧结碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vu Sinter Silicon Carbide | |
| 性质 / Property | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 化学成分 / Chemesch Zesummesetzung | SiC>95%, Si <5% |
| 体积密度 / Bulk Dicht | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率 / Scheinbar Porositéit | <0.1% |
| 常温抗弯强度 / Brochmodul bei 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度 / Brochmodul bei 1200℃ | 290 MPa |
| 硬度 / Hardness bei 20 ℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性 / Fracture toughness at 20% | 3,3 MPa · m1/2 |
| 导热系数 / Wärmeleitung bei 1200 ℃ | 45 w/m .K |
| 热膨胀系数 / Thermesch Expansioun bei 20-1200 ℃ | 4,5 1 × 10 -6/℃ |
| 最高工作温度 / Max.Aarbechtstemperatur | 1400 ℃ |
| 热震稳定性 / thermesch Schockresistenz bei 1200 ℃ | Gutt |
| CVD SiC 薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiC Filmer | |
| 性质 / Property | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase polykristallin, haaptsächlech (111) orientéiert |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardness 2500 | 维氏硬度 (500g Belaaschtung) |
| 晶粒大小 / Grain Gréisst | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Chemesch Puritéit | 99,99995% |
| 热容 / Hëtzt Kapazitéit | 640 jkg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatiounstemperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Wärmeleitung | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE) | 4,5x10-6 K -1 |
Pyrolytesch Kuelestoffbeschichtung
Haaptmerkmale
D'Uewerfläch ass dicht a fräi vu Poren.
Héich Rengheet, total Gëftstoffgehalt <20ppm, gutt Loftdicht.
Héich Temperaturresistenz, Stäerkt erhéicht mat der Erhéijung vun der Notzungstemperatur, erreecht den héchste Wäert bei 2750 ℃, Sublimatioun bei 3600 ℃.
Niddereg elastesche Modul, héich thermesch Konduktivitéit, niddereg thermesch Expansiounskoeffizient, an exzellent thermesch Schockbeständegkeet.
Gutt chemesch Stabilitéit, resistent géint Seier, Alkali, Salz, an organesch reagents, an huet keen Effekt op geschmollte Metaller, Schlacken, an aner ätzend Medien.Et oxidéiert net wesentlech an der Atmosphär ënner 400 C, an d'Oxidatiounsquote klëmmt wesentlech bei 800 ℃.
Ouni Gas bei héijen Temperaturen erauszekréien, kann et e Vakuum vun 10-7mmHg bei ongeféier 1800°C halen.
Produit Applikatioun
Schmelzhäre fir Verdampfung an der Hallefleitindustrie.
Héich Kraaft elektronesch Tube Gate.
Pinsel déi de Spannungsregulator kontaktéiert.
Graphite Monochromator fir Röntgen an Neutronen.
Verschidde Forme vu Grafitsubstrater an atomarer Absorptiounsröhrbeschichtung.
Pyrolytesch Kuelestoffbeschichtungseffekt ënner engem 500X Mikroskop, mat intakt a versiegeltem Uewerfläch.
CVD Tantal Carbide Beschichtung
TaC Beschichtung ass déi nei Generatioun héich Temperaturbeständeg Material, mat enger besserer Héichtemperaturstabilitéit wéi SiC.Als korrosionsbeständeg Beschichtung, Anti-Oxidatiounsbeschichtung a verschleißbeständeg Beschichtung, kënnen an der Ëmwelt iwwer 2000C benotzt ginn, wäit an der Raumfaart-Ultra-Héichtemperatur-Hëtzt-Enn Deeler benotzt, déi drëtt Generatioun Halbleiter Eenkristallwachstumsfelder.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 Physikalesch Eegeschafte vun der TaC Beschichtung | |
| 密度/ Dicht | 14,3 (g/cm3) |
| 比辐射率 /Spezifizesch Emissioun | 0.3 |
| 热膨胀系数/ Thermal Expansiounskoeffizient | 6,3 10/K |
| 努氏硬度 /Hardness (HK) | 2000 HK |
| 电阻 / Resistenz | 1 x 10-5 Ohm*cm |
| 热稳定性 /Thermesch Stabilitéit | <2500 ℃ |
| 石墨尺寸变化/Graphite Gréisst Ännerungen | -10-20 Uhr |
| 涂层厚度/Beschichtungsdicke | ≥220um typesche Wäert (35um±10um) |
Solid Silicon Carbide (CVD SiC)
Solid CVD SILICON CARBIDE Deeler ginn unerkannt als primär Wiel fir RTP / EPI Réng a Basen a Plasma Etch Kavitéit Deeler déi bei héije System erfuerderlech Operatiounstemperaturen operéieren (> 1500 ° C), d'Ufuerderunge fir Rengheet si besonnesch héich (> 99.9995%) an d'Performance ass besonnesch gutt wann d'Resistenz géint Chemikalien besonnesch héich ass.Dës Materialien enthalen keng sekundär Phasen um Kärrand, sou datt d'Komponente manner Partikel produzéieren wéi aner Materialien.Zousätzlech kënnen dës Komponenten mat engem waarme HF / HCI mat wéineg Degradatioun gebotzt ginn, wat zu manner Partikelen an e méi laang Liewensdauer resultéiert.
