PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) Method: Bei 900-2300 ℃, benotzt TaCl5 a CnHm als Tantal a Kuelestoffquellen, H₂ als reduzéierend Atmosphär, Ar₂as Trägergas, Reaktiounsdepositiounsfilm.D'preparéiert Beschichtung ass kompakt, eenheetlech an héich Rengheet.Wéi och ëmmer, et ginn e puer Probleemer ...
Liest méi