Semiceraass houfreg de30mm Aluminium Nitrid Wafer Substrat, en Top-Tiermaterial entwéckelt fir déi streng Ufuerderunge vun modernen elektroneschen an optoelektronesche Applikatiounen z'erreechen. Aluminiumnitrid (AlN) Substrate si bekannt fir hir aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit an elektresch Isolatiounseigenschaften, sou datt se eng ideal Wiel fir héich performant Geräter maachen.
Schlëssel Features:
• Aussergewéinlech thermesch Conductivity:Den30mm Aluminium Nitrid Wafer Substratbitt eng thermesch Konduktivitéit vu bis zu 170 W/mK, wesentlech méi héich wéi aner Substratmaterialien, fir eng effizient Wärmevergëftung an Héichkraaftapplikatiounen ze garantéieren.
•Héich elektresch Isolatioun: Mat exzellenten elektreschen Isoléiereigenschaften miniméiert dëse Substrat Cross-Talk a Signalinterferenz, sou datt et ideal ass fir RF a Mikrowellenapplikatiounen.
•Mechanesch Kraaft:Den30mm Aluminium Nitrid Wafer Substratbitt superieur mechanesch Kraaft a Stabilitéit, garantéiert Haltbarkeet an Zouverlässegkeet och ënner strenge Betribsbedingungen.
•Villsäiteg Uwendungen: Dëse Substrat ass perfekt fir ze benotzen an High-Power LEDs, Laserdioden, a RF Komponenten, déi e robusten an zouverléissege Fundament fir Är exigentste Projeten ubidden.
•Präzisioun Fabrikatioun: Semicera suergt dofir datt all Wafer-Substrat mat der héchster Präzisioun fabrizéiert gëtt, déi eenheetlech Dicke an Uewerflächequalitéit ubitt fir déi exakt Norme vun fortgeschratt elektroneschen Apparater ze treffen.
Maximaliséiert d'Effizienz an Zouverlässegkeet vun Ären Apparater mat Semicera's30mm Aluminium Nitrid Wafer Substrat. Eis Substrate sinn entwéckelt fir super Leeschtung ze liwweren, fir datt Är elektronesch an optoelektronesch Systemer op hir Bescht funktionnéieren. Vertrau Semicera fir opzedeelen Materialien déi d'Industrie a Qualitéit an Innovatioun féieren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
