Silicon Carbide (SiC) Eenkristallmaterial huet eng grouss Band Spalt Breet (~ Si 3 Mol), héich thermesch Leit (~ Si 3,3 Mol oder GaAs 10 Mol), héich Elektronen Sättigung Migratioun Taux (~ Si 2,5 Mol), héich Decompte elektresch Feld (~ Si 10 Mol oder GaAs 5 Mol) an aner aussergewéinlech Charakteristiken.
Déi drëtt Generatioun Hallefleitmaterialien enthalen haaptsächlech SiC, GaN, Diamant, etc., well seng Bandspaltbreet (Eg) méi grouss ass wéi oder gläich wéi 2,3 Elektronenvolt (eV), och bekannt als Breetbandspalt-Hallefuedermaterial. Am Verglach mat der éischter an zweeter Generatioun semiconductor Material, déi drëtt Generatioun semiconductor Materialien hunn d'Virdeeler vun héich thermesch Leit, héich Decompte elektrescht Feld, héich gesättegt Elektronen Migratioun Taux an héich Bindung Energie, déi nei Ufuerderunge vun modern elektronesch Technologie fir héich treffen kann. Temperatur, héich Muecht, héich Drock, héich Frequenz an Stralung Resistenz an aner haart Konditiounen. Et huet wichteg Uwendungsperspektiven an de Beräicher vun der nationaler Verteidegung, Loftfaart, Raumfaart, Uelegfuerschung, optesch Lagerung, asw., a kann Energieverloscht ëm méi wéi 50% reduzéieren a ville strategesche Industrien wéi Breetbandkommunikatioun, Solarenergie, Autosfabrikatioun, Hallefleitbeliichtung, a Smart Gitter, a kann Ausrüstungsvolumen ëm méi wéi 75% reduzéieren, wat e Meilesteen bedeitend ass fir d'Entwécklung vun der mënschlecher Wëssenschaft an der Technologie.
Semicera Energie kann Clienten mat héichqualitativen Conductive (Conductive), Semi-isoléierend (Semi-isoléierend), HPSI (High Purity semi-isoléierend) Siliziumkarbidsubstrat ubidden; Zousätzlech kënne mir Clienten homogenen an heterogenen Siliziumkarbid-Epitaxialplacke ubidden; Mir kënnen och d'Epitaxialplack no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren, an et gëtt keng Mindestbestellungsquantitéit.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Wafer Edge | Beveling | ||||
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-Isoléierend
| ltem | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| Surface Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0,5nm | |||
| Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
| Abriecher | Keen erlaabt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser | Quty.≤5, Kumulativ Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser | Quty.≤5, Kumulativ Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser | ||
| Rëss | Keen erlaabt | ||||
| Rand Ausgrenzung | 3 mm | ||||
