Semicera's 4", 6", an 8" N-Typ SiC Ingots representéieren en Duerchbroch an Hallefleitmaterialien, entworf fir déi ëmmer méi Ufuerderunge vun modernen elektroneschen a Kraaftsystemer ze treffen. Leeschtung an longevity.
Eis N-Typ SiC Ingots gi mat fortgeschrattene Fabrikatiounsprozesser produzéiert déi hir elektresch Konduktivitéit an thermesch Stabilitéit verbesseren. Dëst mécht se ideal fir héich-Muecht an héich-Frequenz Uwendungen, wéi inverters, Transistoren, an aner Muecht elektronesch Apparater wou Effizienz an Zouverlässegkeet virun allem sinn.
Déi präzis Doping vun dësen Ingots garantéiert datt se konsequent a widderhuelend Leeschtung ubidden. Dës Konsistenz ass kritesch fir Entwéckler an Hiersteller déi d'Grenze vun der Technologie a Beräicher wéi Raumfaart, Automobil an Telekommunikatioun drécken. Semicera's SiC Ingots erméiglechen d'Produktioun vun Apparater déi effizient ënner extremen Bedéngungen funktionnéieren.
D'Wiel vum Semicera's N-Typ SiC Ingots heescht d'Integratioun vun Materialien déi héich Temperaturen an héich elektresch Laaschten mat Liichtegkeet handhaben kënnen. Dës Ingots si besonnesch gëeegent fir Komponenten ze kreéieren déi exzellent thermesch Gestioun an Héichfrequenz Operatioun erfuerderen, sou wéi RF Verstärker a Kraaftmoduler.
Andeems Dir fir Semicera's 4", 6", an 8" N-Typ SiC Ingots entscheet, investéiert Dir an e Produkt dat aussergewéinlech Materialeigenschaften kombinéiert mat der Präzisioun an Zouverlässegkeet, déi vun de modernsten Hallefleittechnologien gefuerdert ass. Semicera féiert weider d'Industrie duerch innovativ Léisungen ubidden, déi de Fortschrëtt vun der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater féieren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
