Semicera's 4 "6" Semi-isoléierend SiC Substrat ass e qualitativ héichwäertegt Material entwéckelt fir déi streng Ufuerderunge vun RF a Kraaftapparat Uwendungen z'erreechen. De Substrat kombinéiert déi exzellent thermesch Konduktivitéit an héich Ofbauspannung vu Siliziumkarbid mat semi-isoléierend Eegeschaften, wat et eng ideal Wiel mécht fir fortgeschratt Hallefleitgeräter z'entwéckelen.
4 "6" Semi-isoléierend SiC Substrat ass suergfälteg hiergestallt fir héich Rengheetsmaterial a konsequent semi-isoléierend Leeschtung ze garantéieren. Dëst garantéiert datt de Substrat déi néideg elektresch Isolatioun an RF-Geräter wéi Verstärker an Transistoren ubitt, wärend och déi thermesch Effizienz erfuerderlech fir Héichkraaftapplikatiounen. D'Resultat ass e versatile Substrat deen an enger breeder Palette vun héich performant elektronesche Produkter benotzt ka ginn.
Semicera erkennt d'Wichtegkeet fir zouverlässeg, defektfräi Substrate fir kritesch Hallefleitapplikatiounen ze liwweren. Eis 4 "6" Semi-isoléierend SiC Substrat gëtt mat fortgeschratt Fabrikatiounstechniken produzéiert, déi Kristalldefekter minimiséieren an d'Materialuniformitéit verbesseren. Dëst erlaabt dem Produkt d'Fabrikatioun vun Apparater mat verstäerkter Leeschtung, Stabilitéit a Liewensdauer z'ënnerstëtzen.
Dem Semicera säin Engagement fir Qualitéit garantéiert eis 4 "6" Semi-isoléierend SiC Substrat liwwert zouverlässeg a konsequent Leeschtung iwwer eng breet Palette vun Uwendungen. Egal ob Dir héichfrequenz Geräter oder energieeffizient Kraaftléisungen entwéckelt, eis semi-isoléierend SiC-Substrate stellen d'Basis fir den Erfolleg vun der nächster Generatioun Elektronik.
Basis Parameteren
| Gréisst | 6 Zoll | 4 Zoll |
| Duerchmiesser | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 100.0mm+0mm/-0.5mm |
| Uewerfläch Orientatioun | {0001}±0,2° | |
| Primär flaach Orientéierung | / | <1120> ± 5° |
| Secondary Flat Orientation | / | Silicon Gesiicht erop: 90° CW vun Prime flat ± 5° |
| Primär flaach Längt | / | 32,5 mm x 2,0 mm |
| Sekundär flaach Längt | / | 18,0 mm x 2,0 mm |
| Notch Orientatioun | <1100>±1,0° | / |
| Notch Orientatioun | 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Notch Wénkel | 90°+5°/-1° | / |
| Dicke | 500.0um bis 25.0um | |
| Konduktiv Typ | Semi-isoléierend | |
Crystal Qualitéit Informatiounen
| ltem | 6 Zoll | 4 Zoll |
| Resistivitéit | ≥1E9Q·cm | |
| Polytyp | Keen erlaabt | |
| Mikropipe Dicht | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Hex Platen duerch héich Intensitéit Liicht | Keen erlaabt | |
| Visual Carbon Inklusiounen duerch héich | Kumulativ Beräich ≤0,05% | |
Resistivitéit - Getest duerch Net-Kontakt Blat Resistenz.
Mikropipe Dicht
