Semicera's 4 Zoll N-Typ SiC Substrate sinn erstallt fir déi exakt Norme vun der Hallefleitindustrie ze treffen. Dës Substrate bidden eng héich performant Fondatioun fir eng breet Palette vun elektroneschen Uwendungen, déi aussergewéinlech Konduktivitéit an thermesch Eegeschafte ubidden.
D'N-Typ Doping vun dëse SiC Substrate verbessert hir elektresch Konduktivitéit, sou datt se besonnesch gëeegent sinn fir High-Power an High-Frequenz Uwendungen. Dëse Besëtz erlaabt den effiziente Betrib vun Apparater wéi Dioden, Transistoren a Verstärker, wou d'Minimaliséierung vun Energieverloscht entscheedend ass.
Semicera benotzt modernste Fabrikatiounsprozesser fir sécherzestellen datt all Substrat exzellent Uewerflächequalitéit an Uniformitéit weist. Dës Präzisioun ass kritesch fir Uwendungen a Kraaftelektronik, Mikrowellengeräter an aner Technologien déi zouverlässeg Leeschtung ënner extremen Konditiounen verlaangen.
Semicera's N-Typ SiC Substrater an Ärer Produktiounslinn integréieren bedeit vu Materialien ze profitéieren déi super Wärmevergëftung an elektresch Stabilitéit ubidden. Dës Substrate sinn ideal fir Komponenten ze kreéieren déi Haltbarkeet an Effizienz erfuerderen, sou wéi Kraaftkonversiounssystemer an RF Verstärker.
Andeems Dir Semicera's 4 Zoll N-Typ SiC Substraten auswielt, investéiert Dir an e Produkt dat innovativ Materialwëssenschaft mat virsiichteg Handwierk kombinéiert. Semicera féiert d'Industrie weider andeems se Léisungen ubidden, déi d'Entwécklung vun de modernste Hallefleittechnologien ënnerstëtzen, fir héich Leeschtung an Zouverlässegkeet ze garantéieren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
