4 Zoll SiC Substrat N-Typ

Kuerz Beschreiwung:

Semicera bitt eng breet Palette vun 4H-8H SiC Wafers. Zënter ville Joere si mir e Fabrikant an Zouliwwerer vu Produkter fir d'Hallefueder- a Photovoltaikindustrie. Eis Haaptprodukter enthalen: Siliziumkarbid Ätzplacken, Siliziumkarbid Boots Trailer, Siliziumkarbid Waferboote (PV & Semiconductor), Siliziumcarbid Uewen-Röhre, Siliziumkarbid-Cantilever Paddelen, Siliziumkarbid-Chucks, Siliziumkarbidstrahlen, souwéi CVD SiC Beschichtungen, souwéi CVD SiC Beschichtungen. TaC Beschichtungen. Deckt déi meescht europäesch an amerikanesch Mäert. Mir freeën eis Äre laangfristeg Partner a China ze sinn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide (SiC) Eenkristallmaterial huet eng grouss Band Spalt Breet (~ Si 3 Mol), héich thermesch Leit (~ Si 3,3 Mol oder GaAs 10 Mol), héich Elektronen Sättigung Migratioun Taux (~ Si 2,5 Mol), héich Decompte elektresch Feld (~ Si 10 Mol oder GaAs 5 Mol) an aner aussergewéinlech Charakteristiken.

Semicera Energie kann Clienten mat héichqualitativen Conductive (Conductive), Semi-isoléierend (Semi-isoléierend), HPSI (High Purity semi-isoléierend) Siliziumkarbidsubstrat ubidden; Zousätzlech kënne mir Clienten homogenen an heterogenen Siliziumkarbid-Epitaxialplacke ubidden; Mir kënnen och d'Epitaxialplack no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren, an et gëtt keng Mindestbestellungsquantitéit.

Artikelen	Produktioun	Fuerschung	Dummy
Crystal Parameteren
Polytyp	4H
Uewerfläch Orientéierung Feeler	<11-20 >4±0,15°
Elektresch Parameteren
Dopant	n-Typ Stickstoff
Resistivitéit	0,015-0,025 Ohm·cm
Mechanesch Parameteren
Duerchmiesser	99,5 - 100 mm
Dicke	350 ± 25 μm
Primär flaach Orientéierung	[1-100]±5°
Primär flaach Längt	32,5 ± 1,5 mm
Secondaire flaach Positioun	90° CW vun der Primärfläch ± 5°. Silikon Gesiicht erop
Sekundär flaach Längt	18 ± 1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm (5mm*5mm)	≤5 μm (5mm*5mm)	NA
Boun	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Warp	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Struktur
Mikropipe Dicht	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Metal Gëftstoffer	≤5E10 Atom/cm2		NA
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
Front Qualitéit
Front	Si
Surface Finish	Si-Gesiicht CMP
Partikel	≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm)	NA
Kratzer	≤2 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser	Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser	NA
Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun	Keen		NA
Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke	Keen		NA
Polytype Beräicher	Keen	Kumulative Beräich ≤20%	Kumulativ Beräich ≤30%
Front Laser Marquage	Keen
Zréck Qualitéit
Back Finish	C-Gesiicht CMP
Kratzer	≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser	NA
Réckdefekter (Randchips/Abrécken)	Keen
Réck roughness	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Réck Laser Marquage	1 mm (vun uewen Rand)
Rand
Rand	Chamfer
Verpakung
Verpakung	Déi bannenzeg Täsch ass mat Stickstoff gefëllt an déi baussenzeg Täsch gëtt Vakuum. Multi-Wafer Kassett, epi-ready.
* Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD.