Beschreiwung
Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Moleküle op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert, bilden engSiC Schutzschicht.
Main Fonctiounen
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur esou héich ass wéi 1600 ℃.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
| Grain Gréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
| Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
