Semicera's 4 "6" High Purity Semi-Isolating SiC Ingots sinn entwéckelt fir den exakt Standarden vun der Halbleiterindustrie ze treffen. Dës Ingots gi mat engem Fokus op Rengheet a Konsistenz produzéiert, sou datt se eng ideal Wiel fir High-Power an High-Frequenz Uwendungen maachen, wou d'Performance wichteg ass.
Déi eenzegaarteg Eegeschafte vun dëse SiC Ingots, dorënner héich thermesch Konduktivitéit an exzellent elektresch Resistivitéit, maachen se besonnesch gëeegent fir d'Benotzung an Kraaftelektronik a Mikrowellengeräter. Hir semi-isoléierend Natur erlaabt eng effektiv Wärmevergëftung a minimal elektresch Interferenz, wat zu méi effizienten an zouverléissege Komponenten féiert.
Semicera beschäftegt modernste Fabrikatiounsprozesser fir Ingots mat aussergewéinlecher Kristallqualitéit an Uniformitéit ze produzéieren. Dës Präzisioun garantéiert datt all Ingot zouverlässeg a sensiblen Uwendungen benotzt ka ginn, sou wéi Héichfrequenzverstärker, Laserdioden an aner optoelektronesch Apparater.
Verfügbar a béid 4-Zoll a 6-Zoll Gréissten, Semicera's SiC Ingots bidden d'Flexibilitéit déi néideg ass fir verschidde Produktiounsskalen an technologesch Ufuerderungen. Egal ob fir Fuerschung an Entwécklung oder Masseproduktioun, dës Ingots liwweren d'Leeschtung an d'Haltbarkeet déi modern elektronesch Systemer verlaangen.
Andeems Dir Semicera's High Purity Semi-Isolating SiC Ingots auswielt, investéiert Dir an e Produkt dat fortgeschratt Materialwëssenschaft mat oniwwertraff Fabrikatiounsexpertise kombinéiert. Semicera ass gewidmet fir d'Innovatioun an de Wuesstum vun der Hallefleitindustrie z'ënnerstëtzen, Materialien ubidden déi d'Entwécklung vun modernsten elektroneschen Apparater erméiglechen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
