Semicera's 6-Zoll LiNbO3 Bonding Wafer ass konstruéiert fir déi rigoréis Normen vun der Hallefleitindustrie z'erreechen, a liwwert onparalleléiert Leeschtung a béid Fuerschungs- a Produktiounsëmfeld. Egal ob fir High-End Optoelektronik, MEMS oder fortgeschratt Hallefleitverpackungen, dës Bindungswafer bitt d'Zouverlässegkeet an d'Haltbarkeet néideg fir d'modern Technologieentwécklung.
An der Hallefleitindustrie gëtt de 6-Zoll LiNbO3 Bonding Wafer vill benotzt fir dënn Schichten an optoelektroneschen Apparater, Sensoren a Mikroelektromechanesch Systemer (MEMS) ze verbannen. Seng aussergewéinlech Eegeschafte maachen et e wäertvollen Bestanddeel fir Uwendungen déi präzis Schichtintegratioun erfuerderen, sou wéi an der Fabrikatioun vun integréierte Circuiten (ICs) a photonesch Geräter. Déi héich Rengheet vum Wafer garantéiert datt d'Finale Produkt optimal Leeschtung behält, de Risiko vu Kontaminatioun miniméiert, déi d'Zouverlässegkeet vum Apparat beaflosse kéint.
| Thermesch an elektresch Eegeschafte vu LiNbO3 | |
| Schmelzpunkt | 1250 ℃ |
| Curie Temperatur | 1140 ℃ |
| Wärmeleitung | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Thermesch Expansiounskoeffizient (@ 25°C) | //a，2.0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Resistivitéit | 2x10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Dielectric konstant | εS11/ε0=43;εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0=2 |
| Piezoelektresch konstant | D22= 2,04×10-11C/N D33= 19,22 × 10-11C/N |
| Elektro-optesch Koeffizient | γT33=32 pm/V, γS33= 31 Uhr/V, γT31=10 pm/V, γS31= 20.6 Uhr/V, γT22=6.8 pm/V, γS22= 15.4 Uhr/V, |
| Hallefwellespannung, DC | 3,03 KV 4,02 KV |
De 6-Zoll LiNbO3 Bonding Wafer vu Semicera ass speziell fir fortgeschratt Uwendungen an der Hallefleit- an Optoelektronikindustrie entwéckelt. Bekannt fir seng super Verschleißbeständegkeet, héich thermesch Stabilitéit an aussergewéinlech Rengheet, ass dëse Bindungswafer ideal fir High-Performance Hallefleitfabrikatioun, bitt laang dauerhaft Zouverlässegkeet a Präzisioun och an usprochsvollen Konditiounen.
Geschafft mat modernste Technologie, de 6-Zoll LiNbO3 Bonding Wafer suergt fir minimal Kontaminatioun, wat entscheedend ass fir Hallefleitproduktiounsprozesser déi héich Rengheetsniveauen erfuerderen. Seng exzellent thermesch Stabilitéit erlaabt et héich Temperaturen ze widderstoen ouni d'strukturell Integritéit ze kompromittéieren, sou datt et eng zouverléisseg Wiel fir Héichtemperaturverbindungsapplikatiounen mécht. Zousätzlech garantéiert déi aussergewéinlech Verschleißbeständegkeet vum Wafer datt et konsequent iwwer verlängert Benotzung leeft, laangfristeg Haltbarkeet ubitt an d'Bedierfnes fir heefeg Ersatzstécker reduzéiert.
