Silicon Carbide (SiC) Eenkristallmaterial huet eng grouss Band Spalt Breet (~ Si 3 Mol), héich thermesch Leit (~ Si 3,3 Mol oder GaAs 10 Mol), héich Elektronen Sättigung Migratioun Taux (~ Si 2,5 Mol), héich Decompte elektresch Feld (~ Si 10 Mol oder GaAs 5 Mol) an aner aussergewéinlech Charakteristiken.
Déi drëtt Generatioun Hallefleitmaterialien enthalen haaptsächlech SiC, GaN, Diamant, etc., well seng Bandspaltbreet (Eg) méi grouss ass wéi oder gläich wéi 2,3 Elektronenvolt (eV), och bekannt als Breetbandspalt-Hallefuedermaterial. Am Verglach mat der éischter an zweeter Generatioun semiconductor Material, déi drëtt Generatioun semiconductor Materialien hunn d'Virdeeler vun héich thermesch Leit, héich Decompte elektrescht Feld, héich gesättegt Elektronen Migratioun Taux an héich Bindung Energie, déi nei Ufuerderunge vun modern elektronesch Technologie fir héich treffen kann. Temperatur, héich Muecht, héich Drock, héich Frequenz an Stralung Resistenz an aner haart Konditiounen. Et huet wichteg Uwendungsperspektiven an de Beräicher vun der nationaler Verteidegung, Loftfaart, Raumfaart, Uelegfuerschung, optesch Lagerung, asw., a kann Energieverloscht ëm méi wéi 50% reduzéieren a ville strategesche Industrien wéi Breetbandkommunikatioun, Solarenergie, Autosfabrikatioun, Hallefleitbeliichtung, a Smart Gitter, a kann Ausrüstungsvolumen ëm méi wéi 75% reduzéieren, wat e Meilesteen bedeitend ass fir d'Entwécklung vun der Mënschheetswëssenschaft an Technologie.
Semicera Energie kann Clienten mat héichqualitativen Conductive (Conductive), Semi-isoléierend (Semi-isoléierend), HPSI (High Purity semi-isoléierend) Siliziumkarbidsubstrat ubidden; Zousätzlech kënne mir Clienten homogenen an heterogenen Siliziumkarbid-Epitaxialplacke ubidden; Mir kënnen och d'Epitaxialplack no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren, an et gëtt keng Mindestbestellungsquantitéit.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
