Semicera's 6 Zoll N-Typ SiC Wafer steet un der Spëtzt vun der Hallefleittechnologie. Geschafft fir optimal Leeschtung, exceléiert dës Wafer an Héichkraaft, Héichfrequenz an Héichtemperatur Uwendungen, wesentlech fir fortgeschratt elektronesch Geräter.
Eis 6 Zoll N-Typ SiC Wafer weist héich Elektronemobilitéit a geréng On-Resistenz, déi kritesch Parameteren fir Kraaftapparater wéi MOSFETs, Dioden an aner Komponenten sinn. Dës Eegeschafte garantéieren effizient Energiekonversioun a reduzéierter Hëtztgeneratioun, d'Performance an d'Liewensdauer vun elektronesche Systemer verbesseren.
Semicera's rigoréis Qualitéitskontrollprozesser suergen datt all SiC Wafer exzellent Uewerflächeflächheet a minimale Mängel behält. Dës virsiichteg Opmierksamkeet op Detailer garantéiert datt eis Waferen déi streng Ufuerderunge vun Industrien wéi Automobil, Raumfaart an Telekommunikatioun entspriechen.
Zousätzlech zu senge superieure elektresche Properties, bitt den N-Typ SiC Wafer robust thermesch Stabilitéit a Resistenz zu héijen Temperaturen, wat et ideal mécht fir Ëmfeld wou konventionell Materialien versoen. Dës Kapazitéit ass besonnesch wäertvoll an Uwendungen mat héijer Frequenz an Héichkraaft Operatiounen.
Andeems Dir dem Semicera's 6 Zoll N-Typ SiC Wafer auswielt, investéiert Dir an e Produkt dat den Héichpunkt vun der Hallefleitinnovatioun duerstellt. Mir verpflichte d'Bausteng fir modernste Geräter ze liwweren, fir datt eis Partner a verschiddenen Industrien Zougang zu de beschten Materialien fir hir technologesch Fortschrëtter hunn.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
