Semicera's 8 Zoll N-Typ SiC Wafers sinn an der Spëtzt vun der Hallefleitinnovatioun, déi eng zolidd Basis fir d'Entwécklung vun héich performant elektroneschen Apparater ubidden. Dës Wafere sinn entwéckelt fir déi streng Ufuerderunge vun modernen elektroneschen Uwendungen ze treffen, vu Kraaftelektronik bis Héichfrequenz Circuits.
D'N-Typ Doping an dëse SiC Wafere verbessert hir elektresch Konduktivitéit, sou datt se ideal sinn fir eng breet Palette vun Uwendungen, dorënner Kraaftdioden, Transistoren a Verstärker. Déi héich Konduktivitéit garantéiert minimalen Energieverloscht an effizient Operatioun, déi kritesch sinn fir Geräter déi op héije Frequenzen a Kraaftniveauen funktionnéieren.
Semicera beschäftegt fortgeschratt Fabrikatiounstechnike fir SiC Wafere mat aussergewéinlecher Uewerflächeuniformitéit a minimalem Mängel ze produzéieren. Dëse Präzisiounsniveau ass wesentlech fir Uwendungen déi konsequent Leeschtung an Haltbarkeet erfuerderen, sou wéi an der Raumfaart-, Automobil- an Telekommunikatiounsindustrie.
D'Integratioun vun Semicera's 8 Zoll N-Typ SiC Wafers an Ärer Produktiounslinn bitt e Fundament fir Komponenten ze kreéieren déi haart Ëmfeld an héich Temperaturen widderstoen. Dës Wafere si perfekt fir Uwendungen a Kraaftkonversioun, RF Technologie, an aner exigent Felder.
D'Wiel vun Semicera's 8 Zoll N-Typ SiC Wafers heescht investéieren an e Produkt dat qualitativ héichwäerteg Materialwëssenschaft mat präzis Ingenieur kombinéiert. Semicera ass engagéiert fir d'Fähigkeiten vun Halbleitertechnologien ze förderen, Léisungen ubidden déi d'Effizienz an d'Zouverlässegkeet vun Ären elektroneschen Apparater verbesseren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
