8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat bitt onparalleléiert Leeschtung fir Kraaftelektronesch Geräter, bitt exzellent thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung an exzellent Qualitéit fir fortgeschratt Hallefleitapplikatiounen. Semicera liwwert industrieféierend Léisunge mat sengem manipuléierten 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat.
Semicera's 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat ass e modernt Material entwéckelt fir déi wuessend Ufuerderunge vun der Kraaftelektronik an High-Performance Hallefleitapplikatiounen z'erreechen. De Substrat kombinéiert d'Virdeeler vum Siliziumkarbid an n-Typ Konduktivitéit fir oniwwertraff Leeschtung an Apparater ze liwweren déi héich Kraaftdicht, thermesch Effizienz an Zouverlässegkeet erfuerderen.
Semicera's 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat ass suergfälteg gemaach fir eng super Qualitéit a Konsistenz ze garantéieren. Et huet exzellent thermesch Konduktivitéit fir effizient Wärmevergëftung, sou datt et ideal ass fir High-Power Uwendungen wéi Power Inverters, Dioden, an Transistoren. Zousätzlech garantéiert déi héich Decomptespannung vun dësem Substrat datt et usprochsvolle Konditioune widderstoen kann, eng robust Plattform fir héich performant Elektronik ubitt.
Semicera erkennt déi kritesch Roll déi 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat am Fortschrëtt vun der Hallefleittechnologie spillt. Eis Substrate gi mat modernste Prozesser hiergestallt fir minimal Defektdicht ze garantéieren, wat kritesch ass fir d'Entwécklung vun effizienten Apparater. Dës Opmierksamkeet op Detailer erméiglecht Produkter déi d'Produktioun vun der nächster Generatioun Elektronik mat méi héijer Leeschtung an Haltbarkeet ënnerstëtzen.
Eis 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat sinn och entwéckelt fir d'Bedierfnesser vun enger breeder Palette vun Uwendungen vun Automobil bis erneierbar Energien z'erreechen. n-Typ Konduktivitéit bitt déi elektresch Eegeschaften déi néideg sinn fir effizient Kraaftapparater z'entwéckelen, sou datt dëst Substrat e Schlësselkomponent am Iwwergang zu méi energieeffizienten Technologien mécht.
Bei Semicera si mir engagéiert fir Substrater ze liwweren déi Innovatioun an der Halbleiterfabrikatioun féieren. Den 8 lnch n-Typ Conductive SiC Substrat ass en Testament fir eis Engagement fir Qualitéit an Exzellenz, fir datt eise Clienten dat bescht méiglech Material fir hir Uwendungen kréien.
Basis Parameteren
| Gréisst | 8 Zoll |
| Duerchmiesser | 200.0mm+0mm/-0.2mm |
| Uewerfläch Orientatioun | Off-Achs: 4° Richtung <1120> ± 0,5° |
| Notch Orientatioun | <1100> 1° |
| Notch Wénkel | 90°+5°/-1° |
| Notch Déift | 1 mm+0,25 mm/-0 mm |
| Secondaire Flat | / |
| Dicke | 500.0 ± 25.0um/350.0±25.0um |
| Polytyp | 4H |
| Konduktiv Typ | n-Typ |
