ALD Atomer Layer Oflagerung Planetareschen Susceptor

Kuerz Beschreiwung:

Den ALD Atomic Layer Deposition Planetary Susceptor vu Semicera ass fir präzis an eenheetlech dënn Filmdepositioun an der Hallefleitfabrikatioun entwéckelt. Seng robust Konstruktioun a fortgeschratt Materialien suerge fir héich Leeschtung a laang Liewensdauer. Dem Semicera säi Susceptor verbessert Oflagerungsqualitéit a Prozesseffizienz, sou datt et e wesentleche Bestanddeel fir opzedeelen ALD Uwendungen mécht.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Atomesch Schichtdepositioun (ALD) ass eng chemesch Dampdepositiounstechnologie déi dënn Filmer Schicht fir Schicht wuessen andeems se ofwiesselnd zwee oder méi Virgängermoleküle injizéieren. ALD huet d'Virdeeler vun héijer Kontrollbarkeet an Uniformitéit, a ka wäit an Hallefleitgeräter, optoelektronesch Geräter, Energiespeichergeräter an aner Felder benotzt ginn. D'Basisprinzipien vun ALD enthalen Virgänger-Adsorptioun, Uewerflächenreaktioun an Nebenproduktentfernung, a Multi-Layer Materialien kënne geformt ginn andeems dës Schrëtt an engem Zyklus widderholl ginn. ALD huet d'Charakteristiken a Virdeeler vun héijer Kontrollbarkeet, Uniformitéit an net-poröser Struktur, a ka fir d'Oflagerung vu verschiddene Substratmaterialien a verschidde Materialien benotzt ginn.

ALD Atomesch Layer Deposition Planetaresch Susceptor (1)

ALD huet déi folgend Charakteristiken a Virdeeler:
1. Héich Kontrollbarkeet:Zënter ALD ass e Layer-fir-Schicht Wuesstumsprozess, kann d'Dicke an d'Zesummesetzung vun all Schicht Material präzis kontrolléiert ginn.
2. Uniformitéit:ALD kann Materialien eenheetlech op der ganzer Substrat Uewerfläch deposéieren, d'Ongläichheeten ze vermeiden déi an aneren Oflagerungstechnologien optrieden.
3. Net-porös Struktur:Zënter datt ALD an Eenheeten vun eenzel Atomer oder eenzel Molekülen deposéiert ass, huet de resultéierende Film normalerweis eng dicht, net-porös Struktur.
4. Gutt Ofdeckungsleistung:ALD kann effektiv héich Aspekt Verhältnis Strukturen decken, wéi Nanopore Arrays, héich Porositéit Materialien, etc.
5. Skalierbarkeet:ALD ka fir eng Vielfalt vu Substratmaterialien benotzt ginn, dorënner Metaller, Hallefleit, Glas, asw.
6. Villsäitegkeet:Andeems Dir verschidde Virgängermoleküle auswielen, kënnen eng Vielfalt vu verschiddene Materialien am ALD-Prozess deposéiert ginn, sou wéi Metalloxiden, Sulfiden, Nitriden, asw.