Atomesch Schichtdepositioun (ALD) ass eng chemesch Dampdepositiounstechnologie déi dënn Filmer Schicht fir Schicht wuessen andeems se ofwiesselnd zwee oder méi Virgängermoleküle injizéieren. ALD huet d'Virdeeler vun héijer Kontrollbarkeet an Uniformitéit, a ka wäit an Hallefleitgeräter, optoelektronesch Geräter, Energiespeichergeräter an aner Felder benotzt ginn. D'Basisprinzipien vun ALD enthalen Virgänger-Adsorptioun, Uewerflächenreaktioun an Nebenproduktentfernung, a Multi-Layer Materialien kënne geformt ginn andeems dës Schrëtt an engem Zyklus widderholl ginn. ALD huet d'Charakteristiken a Virdeeler vun héijer Kontrollbarkeet, Uniformitéit an net-poröser Struktur, a ka fir d'Oflagerung vu verschiddene Substratmaterialien a verschidde Materialien benotzt ginn.
ALD huet déi folgend Charakteristiken a Virdeeler:
1. Héich Kontrollbarkeet:Zënter ALD e Layer-fir-Schicht Wuesstumsprozess ass, kann d'Dicke an d'Zesummesetzung vun all Schicht Material präzis kontrolléiert ginn.
2. Uniformitéit:ALD kann Materialien eenheetlech op der ganzer Substrat Uewerfläch deposéieren, d'Ongläichheeten ze vermeiden déi an aneren Oflagerungstechnologien optrieden.
3. Net-porös Struktur:Zënter datt ALD an Eenheeten vun eenzel Atomer oder eenzel Molekülen deposéiert ass, huet de resultéierende Film normalerweis eng dicht, net-porös Struktur.
4. Gutt Ofdeckungsleistung:ALD kann effektiv héich Aspekt Verhältnis Strukturen decken, wéi Nanopore Arrays, héich Porositéit Materialien, etc.
5. Skalierbarkeet:ALD ka fir eng Vielfalt vu Substratmaterialien benotzt ginn, dorënner Metaller, Hallefleit, Glas, asw.
6. Villsäitegkeet:Andeems Dir verschidde Virgängermoleküle auswielen, kënnen eng Vielfalt vu verschiddene Materialien am ALD-Prozess deposéiert ginn, sou wéi Metalloxiden, Sulfiden, Nitriden, asw.
