Blo / gréng LED-Epitaxie vu Semicera bitt modernste Léisunge fir High-Performance LED-Fabrikatioun. Entworf fir fortgeschratt epitaxial Wuesstumsprozesser z'ënnerstëtzen, semicera's Blue / Green LED Epitaxy Technologie verbessert d'Effizienz a Präzisioun bei der Produktioun vun bloen a gréngen LEDs, kritesch fir verschidden optoelektronesch Uwendungen. Mat modernste Si Epitaxy a SiC Epitaxy, garantéiert dës Léisung exzellent Qualitéit an Haltbarkeet.
Am Fabrikatiounsprozess spillt MOCVD Susceptor eng entscheedend Roll, zesumme mat Komponente wéi PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, an RTP Carrier, déi den epitaxialen Wuesstumsëmfeld optimiséieren. Semicera's Blue / Green LED Epitaxy ass entwéckelt fir stabil Ënnerstëtzung fir LED Epitaxial Susceptor, Barrel Susceptor, a Monocrystalline Silicon ze bidden, fir d'Produktioun vu konsequent, héichqualitativen Resultater ze garantéieren.
Dësen Epitaxisprozess ass vital fir Photovoltaik Deeler ze kreéieren an ënnerstëtzt Uwendungen wéi GaN op SiC Epitaxy, d'Gesamt Hallefleiteffizienz verbessert. Egal ob an enger Pancake Susceptor Konfiguratioun oder an aner fortgeschratt Setups benotzt ginn, semicera's Blue / Green LED Epitaxy Léisunge bidden zouverlässeg Leeschtung, hëllefen d'Fabrikanten déi wuessend Nofro fir héichqualitativ LED Komponenten ze treffen.
Haaptfeatures:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vunCVD-SIC Beschichtung
SiC-CVD Properties | ||
Kristallstruktur | FCC β Phase | |
Dicht | g/cm³ | 3.21 |
Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
Grain Gréisst | μm | 2~10 |
Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |