Blo / gréng LED epitaxy

Kuerz Beschreiwung:

Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SiC Schutzschicht bilden.

 

Produit Detailer

Produit Tags

Blo / gréng LED-Epitaxie vu Semicera bitt modernste Léisunge fir High-Performance LED-Fabrikatioun. Entworf fir fortgeschratt epitaxial Wuesstumsprozesser z'ënnerstëtzen, semicera's Blue / Green LED Epitaxy Technologie verbessert d'Effizienz a Präzisioun bei der Produktioun vun bloen a gréngen LEDs, kritesch fir verschidden optoelektronesch Uwendungen. Mat modernste Si Epitaxy a SiC Epitaxy, garantéiert dës Léisung exzellent Qualitéit an Haltbarkeet.

Am Fabrikatiounsprozess spillt MOCVD Susceptor eng entscheedend Roll, zesumme mat Komponente wéi PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, an RTP Carrier, déi den epitaxialen Wuesstumsëmfeld optimiséieren. Semicera's Blue / Green LED Epitaxy ass entwéckelt fir stabil Ënnerstëtzung fir LED Epitaxial Susceptor, Barrel Susceptor, a Monocrystalline Silicon ze bidden, fir d'Produktioun vu konsequent, héichqualitativen Resultater ze garantéieren.

Dësen Epitaxisprozess ass vital fir Photovoltaik Deeler ze kreéieren an ënnerstëtzt Uwendungen wéi GaN op SiC Epitaxy, d'Gesamt Hallefleiteffizienz verbessert. Egal ob an enger Pancake Susceptor Konfiguratioun oder an aner fortgeschratt Setups benotzt ginn, semicera's Blue / Green LED Epitaxy Léisunge bidden zouverlässeg Leeschtung, hëllefen d'Fabrikanten déi wuessend Nofro fir héichqualitativ LED Komponenten ze treffen.

Haaptfeatures:

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:

d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.

2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.

3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.

4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

 Main Spezifikatioune vunCVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties

Kristallstruktur FCC β Phase
Dicht g/cm³ 3.21
Hardness Vickers Hardness 2500
Grain Gréisst μm 2~10
Chemesch Rengheet % 99,99995
Hëtzt Kapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatioun Temperatur 2700
Felexural Kraaft MPa (RT 4-Punkt) 415
Young's Modulus Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) 430
Thermal Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
Wärmeleitung (W/mK) 300

 

 
LED Epitaxie
未标题-1
Semicera Aarbechtsplaz
Semicera Aarbechtsplaz 2
Equipement Maschinn
CNN Veraarbechtung, chemesch Botzen, CVD Beschichtung
Semicera Ware House
Eise Service

  • virdrun:
  • Nächste: