Siliziumkarbid (SiC) Epitaxie
Den epitaxiale Schacht, deen de SiC Substrat hält fir d'SiC epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
Den ieweschten Hallefmound-Deel ass en Träger fir aner Accessoiren vun der Reaktiounskammer vun der Sic-Epitaxie-Ausrüstung, wärend den ënneschten Hallefmound-Deel mat dem Quarzröhr verbonnen ass, de Gas agefouert fir d'Susceptorbasis ze rotéieren. si sinn Temperaturkontrolléierbar an an der Reaktiounskammer installéiert ouni direkten Kontakt mat der Wafer.
Si Epitaxie
De Schacht, deen de Si Substrat hält fir d'Si epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
De Virheizungsring ass um baussenzege Ring vum Si epitaxialen Substratschacht a gëtt fir Kalibrierung an Heizung benotzt. Et gëtt an der Reaktiounskammer plazéiert a kontaktéiert net direkt mat der Wafer.
En epitaxialen Susceptor, deen de Si Substrat hält fir eng Si epitaxial Slice ze wuessen, an der Reaktiounskammer plazéiert an direkt mat der Wafer kontaktéiert.
Epitaxial Faass ass Schlësselkomponenten, déi a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser benotzt ginn, allgemeng an MOCVD Ausrüstung benotzt, mat exzellenter thermescher Stabilitéit, chemescher Resistenz a Verschleisbeständegkeet, ganz gëeegent fir an héije Temperaturprozesser ze benotzen. Et kontaktéiert d'Waffelen.
| Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
| Immobilie | Typesch Wäert |
| Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
| SiC Inhalt | > 99,96% |
| Gratis Si Inhalt | <0.1% |
| Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Anscheinend Porositéit | < 16% |
| Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
| Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
| Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
| Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastesche Modul | 240 GPa |
| Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |
| Physikalesch Eegeschafte vu Sinter Silicon Carbide | |
| Immobilie | Typesch Wäert |
| Chemesch Zesummesetzung | SiC>95%, Si <5% |
| Bulk Dicht | >3,07 g/cm³ |
| Anscheinend Porositéit | <0.1% |
| Brochmodul bei 20 ℃ | 270 MPa |
| Brochmodul bei 1200 ℃ | 290 MPa |
| Hardness bei 20 ℃ | 2400 kg/mm² |
| Frakturstäerkt bei 20% | 3,3 MPa · m1/2 |
| Thermesch Konduktivitéit bei 1200 ℃ | 45 w/m .K |
| Thermesch Expansioun bei 20-1200 ℃ | 4,5 1 × 10 -6/℃ |
| Max.Aarbechtstemperatur | 1400 ℃ |
| Wärmeschockbeständegkeet bei 1200 ℃ | Gutt |
| Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiC Filmer | |
| Immobilie | Typesch Wäert |
| Kristallstruktur | FCC β Phase polykristallin, haaptsächlech (111) orientéiert |
| Dicht | 3,21 g/cm³ |
| Hardness 2500 | （500g Laascht） |
| Grain Gréisst | 2 ~ 10 μm |
| Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| Hëtzt Kapazitéit | 640 jkg-1·K-1 |
| Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| Thermesch Konduktivitéit | 300 W·m-1·K-1 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 4,5x10-6 K -1 |
Haaptmerkmale
D'Uewerfläch ass dicht a fräi vu Poren.
Héich Rengheet, total Gëftstoffgehalt <20ppm, gutt Loftdicht.
Héich Temperaturresistenz, Stäerkt erhéicht mat der Erhéijung vun der Notzungstemperatur, erreecht den héchste Wäert bei 2750 ℃, Sublimatioun bei 3600 ℃.
Niddereg elastesche Modul, héich thermesch Konduktivitéit, niddereg thermesch Expansiounskoeffizient, an exzellent thermesch Schockbeständegkeet.
Gutt chemesch Stabilitéit, resistent géint Seier, Alkali, Salz, an organesch reagents, an huet keen Effekt op geschmollte Metaller, Schlacken, an aner ätzend Medien. Et oxidéiert net wesentlech an der Atmosphär ënner 400 C, an d'Oxidatiounsquote klëmmt wesentlech bei 800 ℃.
Ouni Gas bei héijen Temperaturen erauszekréien, kann et e Vakuum vun 10-7mmHg bei ongeféier 1800°C halen.
Produit Applikatioun
Schmelzhäre fir Verdampfung an der Hallefleitindustrie.
Héich Kraaft elektronesch Tube Gate.
Pinsel déi de Spannungsregulator kontaktéiert.
Graphite Monochromator fir Röntgen an Neutronen.
Verschidde Forme vu Grafitsubstrater an atomarer Absorptiounsröhrbeschichtung.
Pyrolytesch Kuelestoffbeschichtungseffekt ënner engem 500X Mikroskop, mat intakt a versiegeltem Uewerfläch.
TaC Beschichtung ass déi nei Generatioun héich Temperaturbeständeg Material, mat enger besserer Héichtemperaturstabilitéit wéi SiC. Als korrosionsbeständeg Beschichtung, Anti-Oxidatiounsbeschichtung a verschleißbeständeg Beschichtung, kënnen an der Ëmwelt iwwer 2000C benotzt ginn, wäit an der Raumfaart-Ultra-Héichtemperatur-Hëtzt-Enn Deeler benotzt, déi drëtt Generatioun Halbleiter Eenkristallwachstumsfelder.
| Physikalesch Eegeschafte vun TaC Beschichtung | |
| Dicht | 14,3 (g/cm3) |
| Spezifesch Emissioun | 0.3 |
| Thermesch Expansiounskoeffizient | 6,3 10/K |
| Hardness (HK) | 2000 HK |
| Resistenz | 1x10-5 Ohm*cm |
| Thermesch Stabilitéit | <2500 ℃ |
| Graphite Gréisst Ännerungen | -10-20 Uhr |
| Beschichtung Dicke | ≥220um typesche Wäert (35um±10um) |
Solid CVD SILICON CARBIDE Deeler ginn unerkannt als primär Wiel fir RTP / EPI Réng a Basen a Plasma Etch Kavitéit Deeler déi bei héije System erfuerderlech Operatiounstemperaturen operéieren (> 1500 ° C), d'Ufuerderunge fir Rengheet si besonnesch héich (> 99.9995%) an d'Performance ass besonnesch gutt wann d'Resistenz géint Chemikalien besonnesch héich ass. Dës Materialien enthalen keng sekundär Phasen um Kärrand, sou datt d'Komponente manner Partikel produzéieren wéi aner Materialien. Zousätzlech kënnen dës Komponenten mat engem waarme HF / HCI mat wéineg Degradatioun gebotzt ginn, wat zu manner Partikelen an e méi laang Liewensdauer resultéiert.
