Epitaxy Wafer Carrier ass e kritesche Bestanddeel an der Hallefleitproduktioun, besonnesch anSi EpitaxieanSiC EpitaxieProzesser. Semicera designt a fabrizéiert virsiichtegWaferTräger fir extrem héich Temperaturen a chemesch Ëmfeld ze widderstoen, fir exzellent Leeschtung an Uwendungen wéi zMOCVD Susceptoran Faass Susceptor. Egal ob et d'Oflagerung vu monokristallinem Silizium oder komplexe Epitaxisprozesser ass, Semicera's Epitaxy Wafer Carrier bitt exzellent Uniformitéit a Stabilitéit.
SemiceraEpitaxy Wafer Carrierass aus fortgeschratt Materialien mat excellent mechanesch Kraaft an thermesch Leit, déi effektiv Verloschter an Onstabilitéit während dem Prozess reduzéieren kann. Zousätzlech, den Design vun derWaferCarrier kann och op Epitaxisausrüstung vu verschiddene Gréissten upassen, an doduerch d'Gesamtproduktiounseffizienz verbesseren.
Fir Clienten déi héich Präzisioun an héich Rengheet Epitaxy Prozesser erfuerderen, ass Semicera's Epitaxy Wafer Carrier eng vertrauenswierdeg Wiel. Mir sinn ëmmer engagéiert Clienten mat excellent Produit Qualitéit an zouverlässeg technesch Ënnerstëtzung ze bidden der Zouverlässegkeet an Effizienz vun Produktioun Prozesser ze hëllefen verbesseren.
✓ Top Qualitéit am China Maart
✓ Gutt Service ëmmer fir Iech, 7*24 Stonnen
✓ Kuerz Liwwerdatum
✓ Kleng MOQ wëllkomm an akzeptéiert
✓ Benotzerdefinéiert Servicer
Epitaxy Wuesstem Susceptor
Silizium / Siliciumcarbid Wafere mussen duerch verschidde Prozesser goen fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. E wichtege Prozess ass Silizium / Sic Epitaxie, an där Silizium / Sic Wafere op enger Grafitbasis gedroe ginn. Besonnesch Virdeeler vum Semicera Siliziumkarbid-beschichtete Grafitbasis enthalen extrem héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung an extrem laang Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
LED Chip Produktioun
Wärend der extensiv Beschichtung vum MOCVD-Reaktor bewegt d'planetaresch Basis oder den Träger de Substratwafer. D'Performance vum Basismaterial huet e groussen Afloss op d'Beschichtungsqualitéit, wat am Tour d'Schrottrate vum Chip beaflosst. Semicera's Siliziumkarbid-beschichtete Base erhéicht d'Fabrikatiounseffizienz vu qualitativ héichwäerteg LED Waferen a miniméiert d'Wellenlängtabweichung. Mir liwweren och zousätzlech Graphitkomponente fir all MOCVD Reaktoren déi aktuell am Gebrauch sinn. Mir kënne bal all Komponent mat enger Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, och wann de Komponentdurchmesser bis zu 1,5M ass, kënne mir nach ëmmer mat Siliziumkarbid beschichten.
Semiconductor Field, Oxidatiounsdiffusiounsprozess, etc.
Am Halbleiterprozess erfuerdert den Oxidatiounsexpansiounsprozess héich Produktreinheet, a bei Semicera bidde mir personaliséiert a CVD Beschichtungsservicer fir d'Majoritéit vu Siliziumkarbiddeeler.
Déi folgend Bild weist de rau veraarbechte Siliciumcarbid-Schlämm vu Semicea an de Siliziumkarbid-Uewenröhr deen an der 100 gebotzt gëtt0- NiveauStëbs-gratisZëmmer. Eis Aarbechter schaffen virum Beschichtung. D'Rengheet vun eisem Siliziumkarbid kann 99,98% erreechen, an d'Rengheet vun der sic Beschichtung ass méi wéi 99,9995%.
Raw Silicon Carbide Paddle a SiC Prozess Tube am Cleaning
Silicon Carbide Wafer Boot CVD SiC Beschichtete
