Silicon Carbide Beschichtete Graphit Faass fir Epitaxial Wuesstem

Silicon Carbide Beschichtete Graphite Faass fir Epitaxial Wuesstem Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Semicera offréiert eng ëmfaassend Palette vun susceptors a GRAPHITE Komponente fir verschidden epitaxy reactors entworf.

Duerch strategesch Partnerschafte mat industrieféierende OEMs, extensiv Materialexpertise, a fortgeschratt Fabrikatiounsfäegkeeten, liwwert Semicera personaliséiert Designs fir déi spezifesch Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun ze treffen. Eist Engagement fir Exzellenz garantéiert datt Dir optimal Léisunge fir Är Epitaxy-Reaktorbedürfnisser kritt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eis Firma bittSiC BeschichtungVeraarbechtungsservicer op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien duerch CVD Method, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere kënnen fir héich Puritéit Sic Moleküle ze kréien, déi op der Uewerfläch vu Beschichtete Materialien deposéiert kënne ginn fir engSiC Schutzschichtfir epitaxy barrel Typ hy pnotic.

Haaptfeatures:

1 .High Purity SiC Beschichtete Grafit

2. Superior Hëtzt Resistenz & thermesch Uniformitéit

3. GuttSiC Kristall Beschichtetefir eng glat Uewerfläch

4. Héich Haltbarkeet géint chemesch Botzen

SiC Beschichtete Graphit Barrel Susceptor

Main Spezifikatioune vunCVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Hardness	Vickers Hardness	2500
Grain Gréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99,99995
Hëtzt Kapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatioun Temperatur	℃	2700
Felexural Kraaft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt Béi, 1300 ℃)	430
Thermal Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitung	(W/mK)	300