D'High Purity CVD SiC Raw Material vu Semicera ass en fortgeschratt Material entwéckelt fir ze benotzen an High-Performance Uwendungen déi aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, Hardness an elektresch Eegeschafte erfuerderen. Gemaach aus héichqualitativen chemesche Vapor Deposition (CVD) Siliciumcarbid, bitt dëst Rohmaterial eng super Rengheet a Konsistenz, wat et ideal mécht fir Hallefleitfabrikatioun, Héichtemperaturbeschichtungen an aner Präzisioun industriell Uwendungen.
Semicera's High Purity CVD SiC Raw Material ass bekannt fir seng exzellente Resistenz géint Verschleiung, Oxidatioun an Thermalschock, fir zouverlässeg Leeschtung och an den exigentsten Ëmfeld ze garantéieren. Egal ob an der Produktioun vun Halbleitergeräter, abrasiven Tools oder fortgeschratt Beschichtungen benotzt gëtt, gëtt dëst Material e festen Fundament fir High-Performance Uwendungen déi héchste Standarde vu Rengheet a Präzisioun verlaangen.
Mat Semicera's High Purity CVD SiC Raw Material kënnen d'Fabrikanten eng super Produktqualitéit an operationell Effizienz erreechen. Dëst Material ënnerstëtzt eng Rei vun Industrien, vun Elektronik bis Energie, bitt Haltbarkeet a Leeschtung déi zweet bis keent ass.
Semicera héich Rengheet CVD Siliziumkarbid Rohmaterialien hunn déi folgend Charakteristiken:
▪Héich Rengheet:extrem niddereg Gëftstoffer Inhalt, garantéiert d'Zouverlässegkeet vum Apparat.
▪Héich Kristallinitéit:perfekt Kristallstruktur, déi dozou bäidroe fir d'Performance vum Apparat ze verbesseren.
▪Niddereg Defektdicht:kleng Unzuel vu Mängel, reduzéiert de Leckstroum vum Apparat.
▪Grouss Gréisst:grouss Gréisst Siliziumkarbid Substrate kënnen zur Verfügung gestallt ginn fir d'Bedierfnesser vu verschiddene Clienten z'erreechen.
▪Benotzerdefinéiert Service:verschidden Arten a Spezifikatioune vu Siliziumkarbidmaterialien kënnen no Clientsbedürfnisser personaliséiert ginn.
Produit Virdeeler
▪ Breet Bandgap:Siliziumkarbid huet eng breet Bandgap Charakteristik, déi et erméiglecht eng exzellent Leeschtung an haarden Ëmfeld wéi Héichtemperatur, Héichdrock an Héichfrequenz ze hunn.
▪Héich Decompte Volt:Siliziumkarbid Geräter hunn eng méi héich Decomptespannung a kënne méi héich Kraaft Geräter fabrizéieren.
▪Héich thermesch Konduktivitéit:Siliziumkarbid huet eng exzellent thermesch Konduktivitéit, wat fir d'Wärmevergëftung vum Apparat fördert.
▪Héich Elektronen Mobilitéit:Siliciumcarbid Geräter hunn eng méi héich Elektronemobilitéit, wat d'Betribsfrequenz vum Apparat erhéijen kann.
