Héich Rengheet SiC Carrier / Susceptor

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide Lager Disc ass och bekannt als SIC Schacht, Silicon Carbide Ätsche Scheif, ICP Ätsche Scheif. Silicon Carbide Schacht fir LED Ätz (SiC Schacht) φ600mm ass e speziellen Accessoire fir déif Silizium Ätzen (ICP Ätzmaschinn).

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

Silicon Carbide Keramik huet excellent mechanesch Eegeschafte bei Raumtemperatur, wéi héich Stäerkt, héich hardness, héich elastesche Modul, asw. Veraarbechtung Leeschtung.
Si si besonnesch gëeegent fir Präzisioun Keramik Deeler fir integréiert Circuit Ausrüstung wéi Lithographie Maschinnen ze produzéieren, haaptsächlech benotzt fir de SiC Carrier / susceptor, SiC Wafer Boot, Saugen Disc, Waasser killt Plack, Präzisioun Miessunge Reflektor, grating an aner Keramik strukturell Deeler ze produzéieren

carrier 2

carrier 3

carrier 4

Virdeeler

Héich Temperatur Resistenz: normal Benotzung bei 1800 ℃
Héich thermesch Konduktivitéit: gläichwäerteg mat Graphitmaterial
Héich hardness: hardness zweet nëmmen Diamant, Bornitrid
Corrosion Resistenz: staark Seier an Alkali hu keng corrosion zu et, corrosion Resistenz ass besser wéi Wolfram Carbide an Alumina
Liicht Gewiicht: niddereg Dicht, no bei Aluminium
Keng Verformung: niddereg Koeffizient vun der thermescher Expansioun
Wärmeschockbeständegkeet: et kann schaarf Temperaturännerunge widderstoen, thermesch Schock widderstoen an huet stabil Leeschtung
Silicon Carbide Carrier wéi sic Ätzen Carrier, ICP Ätz susceptor, gi wäit an Hallefleit CVD, Vakuum Sputtering etc. Mir kënne Clientë mat personaliséierte Wafer Carrier vu Silizium a Siliziumkarbidmaterialien ubidden fir verschidden Uwendungen ze treffen.

Virdeeler

Immobilie	Wäert	Method
Dicht	3,21 g/cc	Sink-float an Dimensioun
Spezifesch Hëtzt	0,66 J/g °K	Pulséiert Laser Flash
Flexural Kraaft	450 MPa 560 MPa	4 Punkt Béi, RT4 Punkt Béi, 1300°
Fracture Zähegkeet	2,94 MPa m1/2	Mikroindentatioun
Hardness	2800	Vicker's, 500g Laascht
Elastic Modulus Young's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt béien, RT4 pt béien, 1300 °C
Grain Gréisst	2-10 µm	SEM

Firma Profil

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. Zousätzlech ass eis Firma och engagéiert fir Keramikfelder wéi Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumoxid, a Siliziumnitrid, asw.

Eis Haaptprodukter enthalen: Siliziumkarbid Ätsche Scheif, Siliziumkarbid Bootsschleep, Siliziumkarbid Waferboot (Fotovoltaik & Halbleiter), Siliziumkarbid-Uewenröhr, Siliziumkarbid-Cantilever Paddel, Siliziumkarbid-Chucks, Siliziumkarbid-SiC-Beschichtung, souwéi Ta CVD-SiC-Beschichtung, souwéi Beschichtung. D'Produkter déi haaptsächlech an der Hallefleit- a Photovoltaikindustrie benotzt ginn, wéi Ausrüstung fir Kristallwachstum, Epitaxie, Ätzen, Verpakung, Beschichtung an Diffusiounsofen, asw.
ongeféier (2)