Héich Puritéit SiC Pulver

Kuerz Beschreiwung:

High-Purity SiC Powder vu Semicera bitt aussergewéinlech héije Kuelestoff- a Siliziumgehalt, mat Rengheetsniveauen tëscht 4N bis 6N. Mat Partikelgréissten vun Nanometer bis Mikrometer huet et eng grouss spezifesch Uewerfläch. Semicera's SiC-Pulver verbessert d'Reaktivitéit, Dispersibilitéit an d'Uewerflächenaktivitéit, ideal fir fortgeschratt Materialapplikatiounen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Siliciumcarbid (SiC)ass séier eng léifste Wiel iwwer Silizium fir elektronesch Komponenten, besonnesch a breet Bandgap Uwendungen. SiC bitt verstäerkte Kraafteffizienz, kompakt Gréisst, reduzéiert Gewiicht, a manner Gesamtsystemkäschte.

D'Demande fir High-Purity SiC-Pudder an der Elektronik- a Hallefleitindustrie huet Semicera gefuer fir eng héich Rengheet z'entwéckelenSiC Pulver. Dem Semicera seng innovativ Method fir héich Puritéit SiC ze produzéieren resultéiert a Puder, déi méi glatter Morphologieverännerungen, méi luesen Materialverbrauch a méi stabile Wuesstumsinterfaces a Kristallwachstumsetups weisen.

Eis High-Purity SiC-Pulver ass a verschiddene Gréissten verfügbar a ka personaliséiert ginn fir spezifesch Clientsufuerderungen z'erreechen. Fir méi Detailer a fir Äre Projet ze diskutéieren, kontaktéiert w.e.g. Semicera.