Héich Qualitéit a kosteneffektiv Tantalkarbid (TaC) Beschichtung

Kuerz Beschreiwung:

Porös Tantalkarbid gëtt haaptsächlech fir Gasphase Komponent Filtratioun benotzt, lokal Temperaturgradient upassen, Materialflossrichtung guidéieren, Leckage kontrolléieren, etc. mat ënnerschiddleche Stroumleitung.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Semicera bitt spezialiséiert Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir verschidde Komponenten an Träger.Semicera féierende Beschichtungsprozess erméiglecht Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir héich Rengheet, héich Temperaturstabilitéit an héich chemesch Toleranz z'erreechen, d'Produktqualitéit vu SIC / GAN Kristalle an EPI Schichten ze verbesseren (Graphit Beschichtete TaC susceptor), an d'Liewen vun de Schlësselreakterkomponenten verlängeren. D'Benotzung vun Tantal Carbide TaC Beschichtung ass de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, an Semicera huet den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist, an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.

No Joer vun Entwécklung, Semicera huet d'Technologie vun eruewertCVD TaCmat de gemeinsame Efforte vum R&D Departement. Mängel sinn einfach am Wuesstumsprozess vu SiC Wafere optrieden, awer nom GebrauchTaC, den Ënnerscheed ass bedeitend. Drënner ass e Verglach vu Wafere mat an ouni TaC, souwéi Semicera 'Deeler fir Eenkristallwachstum

Tac Deel fir Wuesstem Single Kristallsglas produzéiert

Antiwear Tantal Carbide Beschichtung_ Schützt Ausrüstung vu Verschleiung a Korrosioun Featured Image

Grafit mat TaC Beschichtete Ring

mat an ouni TaC

Nodeems Dir TaC benotzt (riets)

Zousätzlech ass d'Liewensdauer vun de Semicera TaC Beschichtungsprodukter méi laang a méi resistent géint héich Temperaturen wéi déi vun der SiC Beschichtung. No enger laanger Zäit vu Labormessdaten, kann eisen TaC fir eng laang Zäit op maximal 2300 Grad Celsius schaffen. Déi folgend sinn e puer vun eise Proben: