InP an CdTe Substrat

Kuerz Beschreiwung:

Semicera's InP an CdTe Substrat Léisunge si fir High-Performance Uwendungen an der Hallefleit- a Solarenergieindustrie entwéckelt. Eis InP (Indium Phosphide) an CdTe (Cadmium Telluride) Substrate bidden aussergewéinlech Materialeigenschaften, dorënner héich Effizienz, exzellent elektresch Konduktivitéit a robust thermesch Stabilitéit. Dës Substrate sinn ideal fir ze benotzen an fortgeschratt optoelektroneschen Apparater, Héichfrequenz Transistoren, an Dënnfilm Solarzellen, déi eng zouverlässeg Basis fir modernste Technologien ubidden.


Produit Detailer

Produit Tags

Mat Semicera'sInP an CdTe Substrat, Dir kënnt héichqualitativ Qualitéit a Präzisioun erwaarden, déi entwéckelt sinn fir de spezifesche Bedierfnesser vun Äre Fabrikatiounsprozesser z'erreechen. Egal ob fir Photovoltaikapplikatiounen oder Hallefleitgeräter, eis Substrate sinn erstallt fir optimal Leeschtung, Haltbarkeet a Konsistenz ze garantéieren. Als vertrauenswürdege Fournisseur ass Semicera engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, personaliséierbar Substratléisungen ze liwweren, déi Innovatioun an der Elektronik an erneierbaren Energiesektor féieren.

Kristallin an elektresch Eegeschaften1

Typ
Dopant
EPD (cm-2) (Kuckt ënnert A.)
DF (Defektfräi) Beräich (cm2, Kuckt hei ënnen B.)
c/(c cm-3)
Mobilitéit (y cm2/Vs)
Resistivitéit (y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0.5–6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10 (59,4%)
≧ 15 (87%) ,4
(2–10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10 (59,4%)
≧ 15 (87%).
(3–6) × 1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
keng
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Aner Spezifikatioune sinn op Ufro verfügbar.

A.13 Punkten Moyenne

1. Dislokatioun etch Pit Dicht sinn op 13 Punkten gemooss.

2. Gebitt gewiicht Moyenne vun der dislocation Dicht berechent.

B.DF Gebietmiessung (am Fall vun Flächegarantie)

1. Dislokatioun etch Pit Dicht vun 69 Punkten ugewisen als Recht sinn gezielt.

2. DF gëtt als EPD manner wéi 500cm definéiert-2
3. Maximum DF Beräich gemooss vun dëser Method ass 17.25cm2
InP an CdTe Substrat (2)
InP an CdTe Substrat (1)
InP an CdTe Substrat (3)

InP Single Crystal Substrate Gemeinsam Spezifikatioune

1. Orientatioun
Surface Orientatioun (100) ± 0,2º oder (100) ± 0,05º
Surface Off Orientéierung ass op Ufro verfügbar.
Orientéierung vun der Appartement OF: (011)±1º oder (011)±0.1º IF: (011)±2º
Cleaved OF ass op Ufro verfügbar.
2. Laser Marquage baséiert op SEMI Standard ass verfügbar.
3. Eenzel Package, souwéi Package am N2 Gas sinn verfügbar.
4. Etch-a-pack an N2 Gas ass.
5. Rechteckeg Wafere sinn verfügbar.
Uewen Spezifizéierung ass vum JX 'Standard.
Wann aner Spezifikatioune erfuerderlech sinn, frot eis w.e.g.

Orientéierung

 

InP an CdTe Substrat (4)(1)
Semicera Aarbechtsplaz
Semicera Aarbechtsplaz 2
Equipement Maschinn
CNN Veraarbechtung, chemesch Botzen, CVD Beschichtung
Semicera Ware House
Eise Service

  • virdrun:
  • Nächste: