Grouss Gréisst rekristalliséiert Siliziumkarbid Wafer Boot

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ass eng High-Tech Entreprise a China etabléiert, Mir si professionnell Versuergung Semiconductor Industrie rekristalliséierte Siliziumkarbid Kristallboot Hiersteller a Liwwerant.


Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschafte vun rekristalliséierte Siliziumkarbid

Rekristalliséierte Siliziumkarbid (R-SiC) ass en héich performant Material mat enger Härtheet zweet nëmmen Diamant, wat bei enger héijer Temperatur iwwer 2000 ℃ geformt gëtt. Et behält vill excellent Eegeschafte vun SiC, wéi héich Temperatur Kraaft, staark corrosion Resistenz, excellent Oxidatioun Resistenz, gutt thermesch Schock Resistenz an sou op.

● Excellent mechanesch Eegeschaften. Rekristalliséiert Siliziumkarbid huet méi héich Kraaft a Steifheit wéi Kuelestofffaser, héich Impaktbeständegkeet, kann eng gutt Leeschtung an extremen Temperaturëmfeld spillen, kann eng besser Géigebalance Leeschtung a ville Situatiounen spillen. Zousätzlech huet et och gutt Flexibilitéit a gëtt net einfach duerch Stretching a Béie beschiedegt, wat seng Leeschtung staark verbessert.

● Héich corrosion Resistenz. Rekristalliséierte Siliziumkarbid huet eng héich Korrosiounsbeständegkeet fir verschidde Medien, kann d'Erosioun vu verschiddene korrosive Medien verhënneren, seng mechanesch Eegeschafte fir eng laang Zäit behalen, huet eng staark Adhäsioun, sou datt et e méi laang Liewensdauer huet. Zousätzlech huet et och gutt thermesch Stabilitéit, kann sech un eng gewëssen Temperaturverännerung upassen, seng Uwendungseffekt verbesseren.

● Sintering schrumpft net. Well de Sinterprozess net schrumpft, wäert kee Reschtstress Verformung oder Rëss vum Produkt verursaachen, an Deeler mat komplexe Formen an héich Präzisioun kënne virbereet ginn.

Technesch Parameteren:

Foto 2

Material Dateblatt

材料Material

R-SiC

使用温度Aarbechtstemperatur (°C)

1600°C (氧化气氛Oxidéierend Ëmfeld)

1700°C (还原气氛Ëmfeld reduzéieren)

SiC含量SiC Inhalt (%)

> 99

自由Si含量Gratis Si Inhalt (%)

< 0.1

体积密度Bulk Dicht (g/cm3)

2,60-2,70

气孔率Scheinbar Porositéit (%)

< 16

抗压强度Kraaft Kraaft (MPa)

> 600

常温抗弯强度Kale Béie Kraaft (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Hot Béie Stäerkt (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Thermesch Expansiounskoeffizient @1500°C (10-6/°C)

4,70

导热系数Wärmekonduktivitéit @1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Elastesche Modulus (GPa)

240

抗热震性Wärmeschockbeständegkeet

很好Extrem gutt

Siliziumcarbid Kristallboot (2)
Siliziumcarbid Kristallboot (3)
Siliziumcarbid Kristallboot (4)
Silicon Carbide Wafer Boot (5)
Silicon Carbide Wafer Boot (4)
Semicera Aarbechtsplaz
Semicera Aarbechtsplaz 2
Equipement Maschinn
CNN Veraarbechtung, chemesch Botzen, CVD Beschichtung
Eise Service

  • virdrun:
  • Nächste: