LiNbO3 Bonding wafer

Kuerz Beschreiwung:

Lithiumniobatkristall huet exzellent elektro-optesch, akusto-optesch, piezoelektresch an net-linear Eegeschaften. Lithiumniobatkristall ass e wichtege multifunktionelle Kristall mat gudden netlinearen opteschen Eegeschaften an e groussen netlinearen opteschen Koeffizient; et kann och noncritical Phase Matching erreechen. Als elektro-opteschen Kristall ass et als wichtegt opteschen Wellenleitmaterial benotzt ginn; als piezoelectric Kristallsglas produzéiert, kann et benotzt ginn mëttel- an niddreg Frequenz SAW Filteren ze maachen, héich-Muecht héich-Temperatur resistent géint Ultrasonic transducers, etc.. Dotéiert Lithium niobate Materialien sinn och wäit benotzt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer ass entwéckelt fir déi héich Ufuerderunge vun der fortgeschratter Hallefleitfabrikatioun z'erreechen. Mat sengen aussergewéinlechen Eegeschaften, dorënner super Verschleißbeständegkeet, héich thermesch Stabilitéit, an aussergewéinlech Rengheet, ass dëse Wafer ideal fir ze benotzen an Uwendungen déi Präzisioun a laang dauerhaft Leeschtung erfuerderen.

An der Hallefleitindustrie gi LiNbO3 Bonding Wafers allgemeng benotzt fir dënn Schichten an optoelektroneschen Apparater, Sensoren a fortgeschratt ICs ze verbannen. Si gi besonnesch an der Photonik a MEMS (Micro-Electromechanical Systems) geschätzt wéinst hiren exzellenten dielektresche Eegeschaften a Fäegkeet fir haart Betribsbedéngungen ze widderstoen. Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer ass konstruéiert fir präzis Schichtverbindung z'ënnerstëtzen, d'Gesamtleistung an Zouverlässegkeet vun Hallefleitgeräter ze verbesseren.

Thermesch an elektresch Eegeschafte vu LiNbO3
Schmelzpunkt	1250 ℃
Curie Temperatur	1140 ℃
Wärmeleitung	38 W/m/K @ 25 ℃
Thermesch Expansiounskoeffizient (@ 25°C)	//a，2.0×10^-6/K //c，2,2×10^-6/K
Resistivitéit	2x10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Dielectric konstant	εS11/ε0=43,εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2
Piezoelektresch konstant	D₂₂= 2,04×10^-11C/N D₃₃= 19,22 × 10^-11C/N
Elektro-optesch Koeffizient	γT₃₃=32 pm/V, γS₃₃= 31 Uhr/V, γT₃₁=10 pm/V, γS₃₁= 20.6 Uhr/V, γT₂₂=6.8 pm/V, γS₂₂= 15.4 Uhr/V,
Hallefwellespannung, DC Elektrescht Feld // z, Liicht ⊥ Z; Elektrescht Feld // x oder y, Liicht ⊥ z	3,03 KV 4,02 KV

Geschafft mat Topqualitéitsmaterialien, garantéiert de LiNbO3 Bonding Wafer konsequent Zouverlässegkeet och ënner extremen Konditiounen. Seng héich thermesch Stabilitéit mécht et besonnesch gëeegent fir Ëmfeld mat erhöhten Temperaturen, sou wéi déi an Hallefleit-Epitaxieprozesser fonnt. Zousätzlech suergt déi héich Rengheet vum Wafer eng minimal Kontaminatioun, sou datt et eng zouverléisseg Wiel fir kritesch Hallefleitapplikatioune mécht.

Bei Semicera si mir engagéiert fir industriell féierend Léisungen ze bidden. Eis LiNbO3 Bonding Wafer liwwert oniwwertraff Haltbarkeet an héich performant Fäegkeeten fir Uwendungen déi héich Rengheet, Verschleißbeständegkeet an thermesch Stabilitéit erfuerderen. Egal ob fir fortgeschratt Hallefleitproduktioun oder aner spezialiséiert Technologien, dës Wafer déngt als e wesentleche Bestanddeel fir opzedeelen Geräterproduktioun.