D'Haaptfunktioune vum Siliciumcarbid Bootsstütze a Quarzboot Support sinn déiselwecht. Silicon Carbide Boot Ënnerstëtzung huet excellent Leeschtung awer héich Präis. Et stellt eng alternativ Relatioun mat Quarz Boot Ënnerstëtzung an Batterie Veraarbechtung Equipement mat haarden Aarbechtskonditiounen (wéi LPCVD Equipement a Bor Diffusioun Equipement). An Batterie Veraarbechtung Ausrüstung mat normalen Aarbechtskonditiounen, wéinst Präis Relatiounen, Silicon Carbide a Quarz Boot Ënnerstëtzung ginn coexisting a Konkurrenz Kategorien.
① Substitutiounsverhältnis an LPCVD a Bor Diffusioun Ausrüstung
LPCVD Ausrüstung gëtt fir Batterie Zell Tunnel Oxidatioun an dotéiert Polysilisium Schicht Virbereedungsprozess benotzt. Aarbechtsprinzip:
Ënner niddereg-Drock Atmosphär, kombinéiert mat passenden Temperatur, chemesch Reaktioun an Oflagerung Film Formatioun sinn erreecht ultra-dënn tunneling Oxid Layer an polysilicon Film ze preparéieren. Am Tunneloxidatioun an dotéiert Polysilisiumschichtpräparatiounsprozess huet d'Bootstützung eng héich Aarbechtstemperatur an e Siliziumfilm gëtt op der Uewerfläch deposéiert. Den thermesche Expansiounskoeffizient vu Quarz ass ganz anescht wéi dee vum Silizium. Wann et am uewe genannte Prozess benotzt gëtt, ass et néideg regelméisseg ze pickelen fir de Silizium deen op der Uewerfläch deposéiert gëtt fir ze verhënneren datt d'Quarzboot Ënnerstëtzung briechen wéinst thermescher Expansioun a Kontraktioun wéinst dem ënnerschiddlechen thermesche Expansiounskoeffizient vum Silizium. Wéinst heefeg Pickling a gerénger Héichtemperaturstäerkt huet de Quarz Boothalter e kuerzt Liewen a gëtt dacks am Tunneloxidatiouns- an dotéierte Polysilisiumschichtpräparatiounsprozess ersat, wat d'Produktiounskäschte vun der Batteriezell wesentlech erhéicht. Den Expansiounskoeffizient vu Siliziumkarbid ass no bei deem vum Silizium. Am Tunneloxidatiouns- an dotéierte Polysilisiumschichtpräparatiounsprozess brauch den integréierte Siliziumkarbid Boothalter keng Pickling, huet eng héich Temperaturkraaft a laang Liewensdauer, an ass eng gutt Alternativ zum Quarz Boothalter.
Bor Expansioun Ausrüstung gëtt haaptsächlech fir de Prozess vun Doping Bor Elementer op der N-Typ Silicon wafer Substrat vun der Batterie Zell benotzt fir de P-Typ Emitter ze preparéieren eng PN Kräizung ze bilden. D'Aarbechtsprinzip ass d'chemesch Reaktioun a molekulare Oflagerungsfilmbildung an enger héijer Temperaturatmosphär ze realiséieren. Nodeems de Film geformt ass, kann et duerch Héichtemperaturheizung diffuséiert ginn fir d'Dopingfunktioun vun der Siliziumwafer Uewerfläch ze realiséieren. Wéinst der héijer Aarbechtstemperatur vun der Bor-Expansiounsausrüstung huet de Quarz-Boothalter eng niddreg Héichtemperaturkraaft an eng kuerz Liewensdauer an der Bor-Expansiounsausrüstung. Den integréierte Siliciumcarbid Boothalter huet héich Temperaturkraaft an ass eng gutt Alternativ zum Quarz Boothalter am Bor Expansiounsprozess.
② Ersatzverhältnis an aner Prozessausrüstung
SiC Bootsstützen hunn eng enk Produktiounskapazitéit an exzellent Leeschtung. Hir Präisser si meeschtens méi héich wéi déi vu Quarz Bootsstützen. Am allgemengen Aarbechtsbedingunge vun Zellveraarbechtungsausrüstung ass den Ënnerscheed am Liewensdauer tëscht SiC Bootstützen a Quarzbootstützen kleng. Downstream Clienten vergläichen a wielt haaptsächlech tëscht Präis a Leeschtung baséiert op hiren eegene Prozesser a Bedierfnesser. SiC Bootsstützen a Quarz Bootstützen sinn coexistent a kompetitiv ginn. Wéi och ëmmer, de Brutto Profittmarge vu SiC Boot Support ass relativ héich am Moment. Mat dem Réckgang vun de Produktiounskäschte vu SiC Bootsstützen, wann de Verkafspräis vu SiC Boot ënnerstëtzt aktiv erofgeet, wäert et och eng méi grouss Kompetitivitéit fir Quarz Bootsstützen stellen.
(2) Verbrauchsverhältnis
D'Zelltechnologieroute ass haaptsächlech PERC Technologie an TOPCon Technologie. De Maartundeel vun der PERC Technologie ass 88%, an de Maartundeel vun der TOPCon Technologie ass 8,3%. De kombinéierte Maartundeel vun deenen zwee ass 96,30%.
Wéi an der Figur hei ënnen gewisen:
An der PERC Technologie si Bootsstütze fir déi viischt Phosphordiffusioun an Glühungsprozesser erfuerderlech. An TOPCon Technologie, Boot Ënnerstëtzung sinn néideg fir virun Bor Diffusioun, LPCVD, Réckemuerch Phosphor Diffusioun an annealing Prozesser. Am Moment sinn Siliziumkarbid Bootstützen haaptsächlech am LPCVD Prozess vun der TOPCon Technologie benotzt, an hir Uwendung am Bor Diffusiounsprozess gouf haaptsächlech verifizéiert.
Figur Uwendung vu Bootsstützen am Zellveraarbechtungsprozess:
Bemierkung: No der viischter an hënneschter Beschichtung vu PERC an TOPCon Technologien, ginn et nach ëmmer Schrëtt wéi Écran Dréckerei, Sinteren an Testen a Sortéieren, déi net d'Benotzung vu Bootstützen involvéieren an net an der uewendriwwer Figur opgezielt sinn.
(3) Zukunft Entwécklung Trend
An der Zukunft, ënner dem Afloss vun den ëmfaassenden Leeschtungsvirdeeler vu Siliziumkarbid Bootsstützen, déi kontinuéierlech Expansioun vu Clienten an d'Käschtereduktioun an d'Effizienzverbesserung vun der Photovoltaikindustrie, gëtt de Maartundeel vu Siliziumkarbid Bootsstützen erwaart weider ze erhéijen.
① Am Aarbechtsëmfeld vun LPCVD a Bor Diffusioun Ausrüstung, ass déi ëmfaassend Leeschtung vun Silicon Carbide Boot ënnerstëtzt besser wéi déi vun Quarz an huet eng laang Liewensdauer.
② D'Clientexpansioun vu Siliciumcarbid Boot Support Hiersteller representéiert vun der Firma ass glat. Vill Clienten an der Industrie wéi North Huachuang, Songyu Technology a Qihao New Energy hunn ugefaang Siliziumcarbid Bootstützen ze benotzen.
③ Käschtereduktioun an Effizienzverbesserung waren ëmmer d'Verfollegung vun der Photovoltaikindustrie. D'Käschte spueren duerch grouss Batteriezellen ass eng vun de Manifestatiounen vun der Käschtereduktioun an der Effizienzverbesserung an der Photovoltaikindustrie. Mat dem Trend vu méi grousser Batteriezellen ginn d'Virdeeler vu Siliciumcarbid Bootsstützen wéinst hirer gudder ëmfaassender Leeschtung méi offensichtlech.
Post Zäit: Nov-04-2024