Semiconductors:
D'Halbleiterindustrie follegt dem industrielle Gesetz vun "eng Generatioun vun Technologie, enger Generatioun vu Prozesser, an enger Generatioun vun Ausrüstung", an d'Aktualiséierung an d'Iteratioun vun der Halbleiterausrüstung hänkt haaptsächlech vum technologeschen Duerchbroch vu Präzisiounsdeeler of. Ënnert hinnen, Präzisioun Keramik Deeler sinn déi representativst semiconductor Präzisioun Deeler Materialien, déi wichteg Uwendungen an enger Serie vu grousse semiconductor Fabrikatioun Linken hunn wéi chemesch Damp Oflagerung, kierperlech Damp Oflagerung, Ion Implantatioun, an Ätzen. Wéi Lager, Führerschinnen, Fiederen, elektrostatesch Chucks, mechanesch Handhabearm, asw.. Besonnesch an der Ausrüstungskavitéit spillt et d'Roll vun Ënnerstëtzung, Schutz a Diversioun.
Zënter 2023 hunn Holland a Japan och successiv nei Reglementer oder Aussenhandelsdekreter iwwer Kontroll erausginn, bäigefüügt Exportlizenzreglementer fir Halbleiterausrüstung abegraff Lithographiemaschinnen, an den Trend vun der Halbleiter Anti-Globaliséierung ass graduell entstanen. D'Wichtegkeet vun der onofhängeger Kontroll vun der Versuergungskette ass ëmmer méi prominent ginn. Konfrontéiert mat der Nofro fir d'Lokaliséierung vun Halbleiterausrüstungsdeeler, förderen Hausfirmen aktiv industriell Entwécklung. Zhongci Electronics huet d'Lokalisatioun vun High-Tech Präzisiounsdeeler wéi Heizplacken an elektrostatesch Chucks realiséiert, d'Léisung vum "Flaschenhals" Problem vun der Gewalt Halbleiterausrüstungsindustrie; Dezhi New Materials, e féierende Hausliwwerer vu SiC Beschichtete Grafitbasen a SiC Ätsringen, huet erfollegräich eng Finanzéierung vun 100 Millioune Yuan ofgeschloss, etc ....
Héichkonduktiv Siliziumnitrid Keramik Substrate:
Siliziumnitrid Keramik Substrate ginn haaptsächlech an de Kraaft Eenheeten, Hallefleitgeräter an Inverter vu reinen elektresche Gefierer (EVs) an Hybrid elektresch Gefierer (HEVs) benotzt an hunn enorm Maartpotenzial an Uwendungsperspektiven.
Am Moment erfuerderen déi héich thermesch Konduktivitéit Siliziumnitrid Keramik Substratmaterialien fir kommerziell Uwendungen thermesch Konduktivitéit ≥85 W / (m·K), Béiestäerkt ≥650MPa, a Frakturzähegkeet 5~7MPa·m1/2. D'Firmen, déi wierklech d'Fäegkeet hunn, héich thermesch Konduktivitéit Siliziumnitrid Keramiksubstrater ze produzéieren sinn haaptsächlech Toshiba Group, Hitachi Metals, Japan Electric Chemical, Japan Maruwa a Japan Fine Ceramics.
Domesch Fuerschung iwwer Siliziumnitrid Keramik Substratmaterialien huet och e puer Fortschrëtter gemaach. D'thermesch Konduktivitéit vum Siliziumnitrid Keramik Substrat virbereet vum Tape-Gossprozess vu Peking Branch vu Sinoma High-Tech Nitride Ceramics Co., Ltd. ass 100 W / (m·K); Beijing Sinoma Artificial Crystal Research Institute Co., Ltd. andeems Dir d'Sintermethod a Prozess optiméiert.
Post Zäit: Okt-29-2024