Déi aktuell Technike fir Hallefleitverpackungen verbesseren sech graduell, awer d'Ausmooss wéi automatiséiert Ausrüstung an Technologien an der Hallefleitverpackung ugeholl ginn, bestëmmt direkt d'Realiséierung vun erwaarten Resultater. Déi existent Hallefleitverpackungsprozesser leiden nach ëmmer vu verstoppte Mängel, an Entreprisen Techniker hunn net voll automatiséiert Verpackungsausrüstungssystemer benotzt. Dofir wäerten d'Halbleiterverpackungsprozesser, déi Ënnerstëtzung vun automatiséierte Kontrolltechnologien feelen, méi héich Aarbechts- an Zäitkäschte maachen, wat et schwéier mécht fir Techniker d'Qualitéit vun der Hallefleitverpackung strikt ze kontrolléieren.
Ee vun de Schlësselberäicher fir ze analyséieren ass den Impakt vu Verpackungsprozesser op d'Zouverlässegkeet vun Low-k Produkter. D'Integritéit vun der Gold-Aluminiumverbindungsdraht-Interface gëtt vu Faktoren wéi Zäit an Temperatur beaflosst, wat seng Zouverlässegkeet mat der Zäit erofgeet an zu Verännerunge vun der chemescher Phase resultéiert, wat zu Delaminatioun am Prozess féiere kann. Dofir ass et entscheedend op Qualitéitskontroll op all Etapp vum Prozess opmierksam ze maachen. D'Formatioun vun spezialiséierten Teams fir all Aufgab kann hëllefen dës Themen virsiichteg ze managen. D'Ursaachen vun allgemenge Probleemer ze verstoen an geziilten, zouverlässeg Léisungen z'entwéckelen ass essentiell fir d'Gesamtprozessqualitéit z'erhalen. Besonnesch déi initial Bedéngungen vun de Bindungsdrähten, dorënner d'Verbindungspads an d'Basismaterialien a Strukturen, musse suergfälteg analyséiert ginn. D'Verbindungspadsfläche muss propper gehal ginn, an d'Auswiel an d'Uwendung vu Bindungsdrahtmaterialien, Bindungsinstrumenter a Bindungsparameter musse Prozessfuerderunge maximal erfëllen. Et ass recommandéiert d'K Kupferprozesstechnologie mat Fein-Pitch-Bindung ze kombinéieren fir sécherzestellen datt den Impakt vu Gold-Aluminium IMC op Verpackungsverlässegkeet wesentlech beliicht ass. Fir Fein-Pitch Bindungsdrähte kann all Deformatioun d'Gréisst vun de Bindbäll beaflossen an d'IMC-Beräich beschränken. Dofir ass strikt Qualitéitskontroll während der praktescher Etapp néideg, mat Teams a Personal déi hir spezifesch Aufgaben a Verantwortung grëndlech exploréieren, no de Prozessfuerderungen an Normen fir méi Themen ze léisen.
Déi ëmfaassend Ëmsetzung vun Halbleiterverpackungen huet eng professionell Natur. Enterprise Techniker mussen strikt déi operationell Schrëtt vun der Hallefleitverpackung verfollegen fir d'Komponente richteg ze handhaben. Wéi och ëmmer, e puer Entreprisen benotzen keng standardiséiert Techniken fir den Halbleiterverpackungsprozess ofzeschléissen an och vernoléissegen d'Spezifikatioune an d'Modeller vun de Hallefleitkomponenten z'iwwerpréiwen. Als Resultat sinn e puer Hallefleitkomponenten falsch verpackt, verhënnert datt den Halbleiter seng Basisfunktiounen ausféiert an d'wirtschaftlech Virdeeler vun der Entreprise beaflosst.
Insgesamt muss den techneschen Niveau vun der Halbleiterverpackung nach systematesch verbesseren. Techniker an Halbleiter-Fabrikatiounsfirmen solle richteg automatiséiert Verpackungsausrüstungssystemer benotzen fir déi richteg Assemblée vun all Hallefleitkomponenten ze garantéieren. Qualitéitsinspektere sollten ëmfaassend a strikt Bewäertunge maachen fir falsch verpackte Hallefleitgeräter präzis z'identifizéieren an d'Techniker prompt opzefuerderen effektiv Korrekturen ze maachen.
Ausserdeem, am Kontext vun der Drotverbindungsprozess Qualitéitskontroll, kann d'Interaktioun tëscht der Metallschicht an der ILD Schicht am Drotverbindungsgebitt zu Delaminatioun féieren, besonnesch wann den Drotverbindungspad an déi ënnerierdesch Metall/ILD Schicht an eng Coupeform deforméieren. . Dëst ass haaptsächlech wéinst dem Drock an der Ultraschallenergie applizéiert vun der Drotverbindungsmaschinn, déi d'Ultraschallenergie graduell reduzéiert an se an d'Draadverbindungsberäich iwwerdréit, wat d'géigesäiteg Diffusioun vu Gold an Aluminiumatome behënnert. An der éischter Etapp, Evaluatioune vun niddereg-k Chip Drot Bindung verroden dass Bindung Prozess Parameteren héich sensibel sinn. Wann d'Bindungsparameter ze niddreg agestallt sinn, kënnen Theme wéi Drotbriechungen a schwaach Obligatiounen entstoen. D'Erhéijung vun der Ultraschallenergie fir dëst ze kompenséieren kann zu Energieverloscht féieren an d'Coupe-förmlech Verformung verschäerfen. Zousätzlech sinn déi schwaach Adhäsioun tëscht der ILD Schicht an der Metallschicht, zesumme mat der Brëtschheet vu Low-K Materialien, primär Grënn fir d'Delaminatioun vun der Metallschicht vun der ILD Schicht. Dës Faktore gehéieren zu den Haapterausfuerderunge vun der aktueller Halbleiterverpackungsprozess Qualitéitskontroll an Innovatioun.
Post Zäit: Mee-22-2024