Wat ass CVD SiC
Chemesch Dampdepositioun (CVD) ass e Vakuumablagerungsprozess dee benotzt gëtt fir héich-Puritéit zolidd Materialien ze produzéieren. Dëse Prozess gëtt dacks am Halbleiterfabrikatiounsfeld benotzt fir dënn Filmer op der Uewerfläch vu Waferen ze bilden. Am Prozess vun der Preparatioun vu SiC duerch CVD gëtt de Substrat un een oder méi flüchtege Virgänger ausgesat, déi chemesch op der Uewerfläch vum Substrat reagéieren fir de gewënschten SiC Depot ze deposéieren. Ënnert de ville Methoden fir SiC Materialien ze preparéieren, hunn d'Produkter, déi duerch chemesch Dampdepositioun virbereet sinn, héich Uniformitéit a Rengheet, an d'Methode huet eng staark Prozesskontrollbarkeet.
CVD SiC Materialien si ganz gëeegent fir an der Hallefleitindustrie ze benotzen déi héich performant Materialien erfuerdert wéinst hirer eenzegaarteger Kombinatioun vun exzellenten thermeschen, elektreschen a chemeschen Eegeschaften. CVD SiC Komponente gi wäit an Ätsausrüstung, MOCVD Ausrüstung, Si epitaxial Ausrüstung a SiC epitaxial Ausrüstung, séier thermesch Veraarbechtungsausrüstung an aner Felder benotzt.
Am Allgemengen ass de gréisste Maartsegment vun CVD SiC Komponenten Ätsausrüstungskomponenten. Wéinst senger gerénger Reaktivitéit an der Konduktivitéit op Chlor- a Fluor-enthaltende Ätsgase, ass CVD Siliziumkarbid en idealt Material fir Komponenten wéi Fokusringe a Plasma Ätsausrüstung.
CVD Silicon Carbide Komponenten an Ätzen Equipement och Focus Réng, Gas Dusch Kapp, Schachtel, Rand Réng, etc.. Huelt de Fokus Ring als Beispill, de Schwéierpunkt Ring ass e wichtege Bestanddeel ausserhalb der wafer an direkt a Kontakt mat der wafer. Andeems Dir Spannung op de Ring applizéiert fir de Plasma ze fokusséieren, deen duerch de Ring passéiert, gëtt de Plasma op de Wafer fokusséiert fir d'Uniformitéit vun der Veraarbechtung ze verbesseren.
Traditionell Fokusringe ginn aus Silizium oder Quarz gemaach. Mat dem Fortschrëtt vun der integréierter Circuit Miniaturiséierung, ginn d'Nofro an d'Wichtegkeet vun Ätsprozesser an der integréierter Circuitfabrikatioun erop, an d'Kraaft an d'Energie vum Ätsplasma geet weider erop. Besonnesch d'Plasma-Energie erfuerderlech a capacitively coupled (CCP) Plasma Ätsausrüstung ass méi héich, sou datt d'Benotzungsquote vu Fokusringen aus Siliziumkarbidmaterialien eropgeet. De schemateschen Diagramm vum CVD Siliziumkarbid Fokusring gëtt hei ënnen gewisen:
Post Zäit: Jun-20-2024