An Plasma Ätzen Equipement, Keramik Komponente spillen eng entscheedend Roll, dorënner dekonzentréieren Ring.Déi konzentréieren Ring, ronderëm de Wafer plazéiert an am direkte Kontakt mat him, ass essentiell fir de Plasma op de Wafer ze fokusséieren andeems d'Spannung op de Ring applizéiert gëtt. Dëst verbessert d'Uniformitéit vum Ätzprozess.
Uwendung vun SiC Focus Rings an Ätzmaschinnen
SiC CVD Komponentenan Ätzmaschinnen, wéi zkonzentréieren Réng, Gas Dusche, Placken, a Randringen, ginn favoriséiert wéinst der gerénger Reaktivitéit vu SiC mat Chlor- a Fluor-baséiert Ätsgasen a seng Konduktivitéit, sou datt et en idealt Material fir Plasma Ätsequipement gëtt.
Virdeeler vun SiC als Focus Ring Material
Wéinst der direkter Belaaschtung vu Plasma an der Vakuumreaktiounskammer musse Fokusringen aus Plasma-resistente Materialien gemaach ginn. Traditionell Fokusringe, aus Silizium oder Quarz, leiden ënner enger schlechter Ätzresistenz an Fluor-baséiert Plasmaen, wat zu enger schneller Korrosioun a reduzéierter Effizienz féiert.
Verglach tëscht Si an CVD SiC Focus Rings:
1. Méi héich Dicht:Reduzéiert Ässvolumen.
2. Breet Bandgap: Bitt exzellent Isolatioun.
3. Héich thermesch Konduktivitéit & Niddereg Expansiounskoeffizient: Resistent géint thermesch Schock.
4. Héich Elastizitéit:Gutt Resistenz géint mechanesch Impakt.
5. Héich Hardness: Verschleiß- a korrosionsbeständeg.
SiC deelt d'elektresch Konduktivitéit vum Silizium a bitt eng super Resistenz géint ionesch Ätzen. Wéi d'integréiert Circuit Miniaturiséierung weidergeet, erhéicht d'Nofro fir méi effizient Ätsprozesser. Plasma Ätzen Ausrüstung, besonnesch déi, déi capacitive gekoppelt Plasma (CCP) benotzen, erfuerdert héich Plasma Energie, méchtSiC Fokus Réngëmmer méi populär.
Si an CVD SiC Focus Ring Parameteren:
| Parameter | Silicon (Si) | CVD Silicon Carbide (SiC) |
| Dicht (g/cm³) | 2.33 | 3.21 |
| Band Gap (eV) | 1.12 | 2.3 |
| Wärmeleitung (W/cm°C) | 1.5 | 5 |
| Thermesch Expansiounskoeffizient (x10⁻⁶/°C) | 2.6 | 4 |
| Elastesche Modul (GPa) | 150 | 440 |
| Hardness | Ënneschten | Méi héich |
Fabrikatioun Prozess vun SiC Focus Rings
An Halbleiterausrüstung gëtt CVD (Chemical Vapor Deposition) allgemeng benotzt fir SiC Komponenten ze produzéieren. Focusringe ginn hiergestallt andeems SiC a spezifesche Formen duerch Dampdepositioun deposéiert ginn, gefollegt vu mechanesche Veraarbechtung fir d'Endprodukt ze bilden. D'Materialverhältnis fir Dampdepositioun gëtt no extensiv Experimenter fixéiert, wat Parameteren wéi Resistivitéit konsequent mécht. Wéi och ëmmer, verschidde Ätsausrüstung kann Fokusringe mat ënnerschiddleche Resistivitéiten erfuerderen, déi nei Materialverhältnisser Experimenter fir all Spezifizéierung erfuerderen, wat Zäitopwendeg an deier ass.
Duerch d'WielSiC Fokus RéngvunSemicera Semiconductor, Clienten kënnen d'Virdeeler vun méi laangen Ersatzzyklen a superieure Leeschtung ouni substantiell Erhéijung vun de Käschten erreechen.
Rapid thermesch Veraarbechtung (RTP) Komponente
CVD SiC seng aussergewéinlech thermesch Eegeschaften maachen et ideal fir RTP Uwendungen. RTP Komponenten, dorënner Randringen a Placken, profitéieren vum CVD SiC. Wärend RTP ginn intensiv Hëtztimpulsen op eenzel Wafere fir kuerz Dauer applizéiert, gefollegt vu séier Ofkillung. CVD SiC Randringe, déi dënn sinn an eng geréng thermesch Mass hunn, behalen keng bedeitend Hëtzt, sou datt se net beaflosst ginn duerch séier Heizungs- a Killprozesser.
Plasma Ätz Komponente
CVD SiC héich chemesch Resistenz mécht et gëeegent fir Ätzen Uwendungen. Vill Ätzkammer benotze CVD SiC Gasverdeelungsplacke fir Ätsgasen ze verdeelen, déi Dausende vu klenge Lächer fir Plasma-Dispersioun enthalen. Am Verglach mat alternativen Materialien huet CVD SiC eng méi niddereg Reaktivitéit mat Chlor- a Fluorgasen. An dréchen Ätzen, CVD SiC Komponente wéi Fokus Réng, ICP Platen, Grenz Réng, an Dusche sinn allgemeng benotzt.
SiC Fokusringe, mat hirer ugewandter Spannung fir Plasmafokuséierung, musse genuch Konduktivitéit hunn. Typesch aus Silizium gemaach, fokusséieren Réng op reaktiv Gase ausgesat, déi Fluor a Chlor enthalen, wat zu inévitabeler Korrosioun féiert. SiC Fokus Réng, mat hirer superieure Korrosiounsbeständegkeet, bidden méi laang Liewensdauer am Verglach zu Siliziumringen.
Liewenszyklus Verglach:
· SiC Focus Rings:Ersat all 15 bis 20 Deeg.
· Silicon Focus Rings:All 10 bis 12 Deeg ersat.
Trotz SiC Réng 2 ze 3 Mol méi deier wéi Silicon Réng, reduzéiert den erweiderten Ersatz Zyklus allgemeng Komponent Ersatz Käschten, well all zouzedrécken Deeler an der Chamber gläichzäiteg ersat ginn, wann d'Kammer fir Fokus Ring Ersatz opgemaach ass.
Semicera Semiconductor's SiC Focus Rings
Semicera Semiconductor bitt SiC Fokusringe zu Präisser no bei deene vu Siliziumringen, mat enger Leadzäit vun ongeféier 30 Deeg. Duerch d'Integratioun vum Semicera's SiC Fokusringe a Plasma Ätsausrüstung ginn d'Effizienz an d'Liewensdauer wesentlech verbessert, d'Gesamthaltungskäschte reduzéieren an d'Produktiounseffizienz verbesseren. Zousätzlech kann Semicera d'Resistivitéit vun de Fokusringe personaliséieren fir spezifesch Clientsufuerderungen z'erreechen.
Andeems Dir SiC Fokusringe vu Semicera Semiconductor auswielen, kënnen d'Clienten d'Virdeeler vu méi laangen Ersatzzyklen a superieure Leeschtung ouni substantiell Erhéijung vun de Käschten erreechen.
Post Zäit: Jul-10-2024