-
Wat ass Tantalkarbid?
Tantalkarbid (TaC) ass eng binär Verbindung aus Tantal a Kuelestoff mat der chemescher Formel TaC x, wou x normalerweis tëscht 0,4 an 1 variéiert. Si sinn brong-gro Puder a sinn eis ...Liest méi -
wat ass Tantalkarbid
Tantal Carbide (TaC) ass en ultra-héich Temperatur Keramik Material mat héich Temperatur Resistenz, héich Dicht, héich Kompaktheet; héich Rengheet, Gëftstoffgehalt <5PPM; a chemesch Inertheet fir Ammoniak a Waasserstoff bei héijen Temperaturen, a gutt thermesch Stabilitéit. De sougenannte ultra-héich ...Liest méi -
Wat ass Epitaxie?
Déi meescht Ingenieuren sinn net vertraut mat Epitaxie, déi eng wichteg Roll bei der Fabrikatioun vun Halbleitergeräter spillt. Epitaxy kann a verschiddenen Chipprodukter benotzt ginn, a verschidde Produkter hunn verschidden Aarte vun Epitaxie, dorënner Si Epitaxie, SiC Epitaxie, GaN Epitaxie, etc. Wat ass Epitaxie? Epitaxie ass ...Liest méi -
Wat sinn déi wichteg Parameter vu SiC?
Silicon Carbide (SiC) ass e wichtegt breet Bandgap Hallefleitmaterial dat wäit an héich-Muecht an héich-Frequenz elektronesch Apparater benotzt gëtt. Déi folgend sinn e puer Schlësselparameter vu Siliziumkarbidwaferen an hir detailléiert Erklärungen: Gitterparameter: Gitt sécher datt de ...Liest méi -
Firwat muss Eenkristall Silizium gewalzt ginn?
Rolling bezitt sech op de Prozess fir de baussenzegen Duerchmiesser vun enger Silicium Eenkristallstab an eng eenzeg Kristallstab vum erfuerderlechen Duerchmiesser mat engem Diamantschleifrad ze schleifen, an eng flaach Rand Referenzfläch oder Positionéierungsgroove vun der eenzeger Kristallstab erauszekréien. De baussenzegen Duerchmiesser Uewerfläch ...Liest méi -
Prozesser fir High-Quality SiC-Pudder ze produzéieren
Siliziumkarbid (SiC) ass eng anorganesch Verbindung bekannt fir seng aussergewéinlech Eegeschaften. Natierlech optrieden SiC, bekannt als Moissanite, ass zimlech seelen. An industriellen Uwendungen gëtt Siliziumkarbid haaptsächlech duerch synthetesch Methoden produzéiert.Liest méi -
Kontroll vun der Radialresistivitéitsuniformitéit beim Kristallzuch
D'Haaptgrënn, déi d'Uniformitéit vun der Radialresistivitéit vun eenzel Kristalle beaflossen, sinn d'Flaachheet vun der Feststoff-Flësseg-Interface an de klenge Fligereffekt beim Kristallwachstum. , den...Liest méi -
Firwat kann Magnéitfeld Single Kristallsglas produzéiert Schmelzhäre d'Qualitéit vun Single Kristall verbesseren
Zënter Crucible gëtt als Container benotzt an et gëtt Konvektioun dobannen, well d'Gréisst vum generéierten Eenkristallen eropgeet, ginn d'Hëtztkonvektioun an d'Temperaturgradientuniformitéit méi schwéier ze kontrolléieren. Andeems Dir Magnéitfeld bäidréit fir déi konduktiv Schmelz op Lorentz Kraaft ze maachen, kann d'Konvektioun ...Liest méi -
Schnell Wuesstum vu SiC Eenkristallen mat CVD-SiC Bulkquelle duerch Sublimatiounsmethod
Rapid Wuesstum vu SiC Single Crystal Mat CVD-SiC Bulk Source iwwer Sublimatiounsmethod Duerch d'Recycling CVD-SiC Blocks als SiC Quell ze benotzen, goufen SiC Kristalle mat enger Rate vun 1,46 mm / h duerch d'PVT Method erfollegräich ugebaut. D'Mikropipe vum erwuessene Kristall an d'Dislokatiounsdichte weisen datt de ...Liest méi -
Optimiséiert an iwwersat Inhalt op Silicon Carbide Epitaxial Wuesstem Equipement
Silicon Carbide (SiC) Substrater hu vill Mängel déi direkt Veraarbechtung verhënneren. Fir Chipwaferen ze kreéieren, muss e spezifeschen Eenkristallfilm um SiC-Substrat duerch en epitaxiale Prozess ugebaut ginn. Dëse Film ass bekannt als Epitaxialschicht. Bal all SiC Geräter ginn op Epitaxial realiséiert ...Liest méi -
Déi entscheedend Roll an Uwendungsfäll vu SiC-beschichtete Graphit-Susceptoren an der Semiconductor Fabrikatioun
Semicera Semiconductor plangt d'Produktioun vu Kärkomponenten fir Halbleiter Fabrikatiounsausrüstung weltwäit ze erhéijen. Bis 2027 ziele mir eng nei 20.000 Quadratmeter Fabréck mat enger Gesamtinvestitioun vu 70 Milliounen USD opzebauen. Ee vun eise Kärkomponenten, de Siliziumcarbid (SiC) Wafer Carr ...Liest méi -
Firwat musse mir Epitaxie op Siliziumwafer Substrate maachen?
An der Hallefleitindustrie Kette, virun allem an der drëtter Generatioun Hallefleit (breet Bandgap Halbleiter) Industriekette, ginn et Substrater an epitaxial Schichten. Wat ass d'Bedeitung vun der epitaxialer Schicht? Wat ass den Ënnerscheed tëscht dem Substrat an dem Substrat? De Substrat...Liest méi