-
Semiconductor Fabrikatioun Prozess - Etch Technology
Honnerte vu Prozesser sinn erfuerderlech fir e Wafer an en Hallefleit ze maachen. Ee vun de wichtegste Prozesser ass Ätzen - dat ass, fein Circuitmuster op der Wafer ze schneiden. Den Erfolleg vum Ätzprozess hänkt vun der Gestioun vu verschiddene Variabelen bannent engem festgeluegte Verdeelungsbereich of, an all Ätzen ...Liest méi -
Ideal Material fir Fokusringen a Plasma Ätsausrüstung: Siliziumkarbid (SiC)
A Plasma Ätsausrüstung spillen Keramikkomponenten eng entscheedend Roll, dorënner de Fokusring. De Fokusring, ronderëm de Wafer plazéiert an am direkte Kontakt mat him, ass essentiell fir de Plasma op de Wafer ze fokusséieren andeems d'Spannung op de Ring applizéiert gëtt. Dëst verbessert d'Un ...Liest méi -
Front End of Line (FEOL): D'Fondatioun leeën
De Frontend vun der Produktiounslinn ass wéi d'Fondatioun ze leeën an d'Maueren vun engem Haus ze bauen. An der Hallefleitfabrikatioun implizéiert dës Etapp d'Basisstrukturen an Transistoren op engem Siliziumwafer ze kreéieren. Schlëssel Schrëtt vun FEOL: ...Liest méi -
Effekt vun Siliziumkarbid Eenkristallveraarbechtung op Wafer Uewerflächqualitéit
Semiconductor Kraaftapparater besetzen eng Kärpositioun a Kraaftelektronesche Systemer, besonnesch am Kontext vun der rapider Entwécklung vun Technologien wéi kënschtlech Intelligenz, 5G Kommunikatiounen an nei Energieautoen, d'Leeschtungsfuerderunge fir si sinn ...Liest méi -
Schlëssel Kär Material fir SiC Wuesstem: Tantal Carbide Beschichtung
Am Moment gëtt déi drëtt Generatioun vun Halbleiteren vu Siliziumkarbid dominéiert. An der Käschtestruktur vun hiren Apparater ass de Substrat 47%, an d'Epitaxie stellt 23%. Déi zwee zesumme maachen ongeféier 70% aus, wat de wichtegsten Deel vun der Siliziumkarbidgerätsfabrikatioun ass ...Liest méi -
Wéi verbesseren Tantalkarbid Beschichtete Produkter d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien?
Tantalkarbidbeschichtung ass eng allgemeng benotzt Uewerflächenbehandlungstechnologie déi d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien wesentlech verbesseren kann. Tantalkarbidbeschichtung kann op d'Uewerfläch vum Substrat befestegt ginn duerch verschidde Virbereedungsmethoden, sou wéi chemesch Dampdepositioun, Physikalesch ...Liest méi -
Gëschter huet de Science and Technology Innovation Board eng Ukënnegung erausginn datt Huazhuo Precision Technology seng IPO ofgeschloss huet!
Just annoncéiert d'Liwwerung vun der éischter 8-Zoll SIC Laser annealing Equipement an China, déi och Tsinghua Technologie ass; Firwat hunn se d'Materialien selwer zréckgezunn? Just e puer Wierder: Als éischt sinn d'Produkter ze divers! Op den éischte Bléck weess ech net wat se maachen. Am Moment ass H...Liest méi -
CVD Siliziumkarbidbeschichtung-2
CVD Siliziumkarbidbeschichtung 1. Firwat gëtt et eng Siliziumkarbidbeschichtung D'Epitaxialschicht ass e spezifeschen eenzegen Kristalldënnen Film, deen op Basis vun der Wafer duerch den epitaxiale Prozess gewuess ass. De Substratwafer an den epitaxialen dënnen Film gi kollektiv epitaxial Wafere genannt. Ënnert hinne sinn d'...Liest méi -
Virbereedungsprozess vun der SIC Beschichtung
Am Moment enthalen d'Virbereedungsmethoden vun der SiC Beschichtung haaptsächlech Gel-Sol Method, Embedding Method, Pinselbeschichtungsmethod, Plasma Spraymethod, Chemesch Vapor Reaction Method (CVR) a Chemical Vapor Deposition Method (CVD). Embedding Method Dës Method ass eng Aart vun héich-Temperatur Festphase ...Liest méi -
CVD Silicon Carbide Beschichtung-1
Wat ass CVD SiC Chemesch Dampdepositioun (CVD) ass e Vakuumablagerungsprozess dee benotzt gëtt fir héichreineg zolidd Materialien ze produzéieren. Dëse Prozess gëtt dacks am Halbleiterfabrikatiounsfeld benotzt fir dënn Filmer op der Uewerfläch vu Waferen ze bilden. Am Prozess vun der Virbereedung vu SiC duerch CVD gëtt de Substrat explodéiert ...Liest méi -
Analyse vun der Dislokatiounsstruktur am SiC Kristall duerch Strahlen Tracing Simulatioun assistéiert vun der Röntgen topologescher Imaging
Fuerschungshintergrund Uwendungswichtegkeet vu Siliziumkarbid (SiC): Als breet Bandgap Hallefleitmaterial huet Siliziumkarbid vill Opmierksamkeet ugezunn wéinst senge exzellenten elektresche Properties (wéi méi grouss Bandgap, méi héich Elektrone Sättigungsgeschwindegkeet an thermesch Konduktivitéit). Dës Prop...Liest méi -
Seed Kristall Virbereedungsprozess am SiC Eenkristallwachstum 3
Wuesstumsverifizéierung D'Silisiumkarbid (SiC) Somkristalle goufen nom beschriwwene Prozess virbereet an duerch SiC Kristallwachstum validéiert. D'Wuesstumsplattform déi benotzt gouf war e selbstentwéckelte SiC Induktiounswachstumofen mat enger Wuesstemperatur vun 2200 ℃, engem Wuesstumsdrock vun 200 Pa, an engem Wuesstum ...Liest méi