-
Seed Crystal Virbereedungsprozess am SiC Single Crystal Growth (Deel 2)
2. Experimentell Prozess 2.1 Aushärtung vun Klebstoff Film Et gouf beobachtet datt direkt e Kuelestofffilm oder Bindung mat Grafitpabeier op SiC Wafers, déi mat Klebstoff beschichtet sinn, zu verschiddenen Themen gefouert hunn: 1. Ënner Vakuumbedéngungen huet de Klebfilm op SiC Waferen e scalelike Erscheinungsbild entwéckelt wéinst ënnerschreiwen...Liest méi -
Seed Crystal Virbereedung Prozess am SiC Single Crystal Wuesstem
Silicon Carbide (SiC) Material huet d'Virdeeler vun engem breet Bandgap, héich thermesch Konduktivitéit, héich kritesch Decompte Feldstäerkt, an héich gesättigten Elektronen Drift Geschwindegkeet, wat et héich villverspriechend am Halbleiter Fabrikatiounsfeld mécht. SiC Eenkristallen ginn allgemeng duerch ...Liest méi -
Wat sinn d'Methoden fir Wafer poléieren?
Vun all de Prozesser, déi an der Schafung vun engem Chip involvéiert sinn, ass d'Finale Schicksal vum Wafer an eenzel Stierwen geschnidden a verpackt a kleng, zouene Këschte mat nëmmen e puer Pins ausgesat. Den Chip gëtt op Basis vu senge Schwell, Resistenz, Stroum a Spannungswäerter bewäert, awer keen wäert berécksiichtegen ...Liest méi -
D'Basis Aféierung vum SiC Epitaxial Wuesstumsprozess
Epitaxial Schicht ass e spezifeschen eenzege Kristallfilm deen op der Wafer duerch epitaxial Prozess ugebaut gëtt, an de Substratwafer an den epitaxiale Film ginn epitaxial Wafer genannt. Andeems Dir d'Silisiumkarbid Epitaxialschicht op dem konduktiven Siliziumkarbidsubstrat wuessen, gëtt de Siliziumkarbid homogen Epitaxial ...Liest méi -
Schlëssel Punkte vun semiconductor Verpakung Prozess Qualitéitskontroll
Schlësselpunkte fir Qualitéitskontroll am Semiconductor Packaging Process Momentan ass d'Prozesstechnologie fir Hallefleitverpackungen wesentlech verbessert an optimiséiert. Wéi och ëmmer, aus enger Gesamtperspektive sinn d'Prozesser a Methode fir Halbleiterverpackungen nach net déi perfekt ...Liest méi -
Erausfuerderungen am Semiconductor Packaging Prozess
Déi aktuell Technike fir Hallefleitverpackungen verbesseren sech graduell, awer d'Ausmooss wéi automatiséiert Ausrüstung an Technologien an der Hallefleitverpackung ugeholl ginn, bestëmmt direkt d'Realiséierung vun erwaarten Resultater. Déi existent Hallefleitverpackungsprozesser leiden nach ëmmer ...Liest méi -
Fuerschung an Analyse vum Semiconductor Packaging Prozess
Iwwersiicht vum Semiconductor Prozess De Semiconductor Prozess involvéiert haaptsächlech d'Uwendung vu Mikrofabrizéierung a Filmtechnologien fir Chips an aner Elementer a verschiddene Regiounen, wéi Substrate a Rummen, voll ze verbannen. Dëst erliichtert d'Extraktioun vu Leadklemmen an d'Verkapselung mat engem ...Liest méi -
Nei Trends an der Semiconductor Industrie: D'Applikatioun vu Schutzbeschichtungstechnologie
D'Halbleiterindustrie ass Zeien vun engem eemolegen Wuesstum, besonnesch am Räich vu Siliziumkarbid (SiC) Kraaftelektronik. Mat ville grouss-Skala Wafer Fabrécken am Bau oder Expansioun fir d'Erhéijung vun Nofro fir SiC Apparater an elektresche Gefierer ze treffen, dëst ...Liest méi -
Wat sinn d'Haapt Schrëtt an der Veraarbechtung vu SiC Substrate?
Wéi mir produzéiere-Veraarbechtung Schrëtt fir SiC Substrate sinn wéi follegt: 1. Kristall Orientatioun: Benotzen Röntgen Diffraktioun der Kristallsglas produzéiert ingot ze orientéieren. Wann en Röntgenstrahl op dat gewënschte Kristallsiicht geriicht ass, bestëmmt de Wénkel vum ofgebrachene Strahl d'Kristallorientéierung ...Liest méi -
E wichtegt Material, deen d'Qualitéit vum Single-Crystal Silicon Wuesstum bestëmmt - thermesch Feld
De Wuesstumsprozess vum Eenkristallsilizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass förderlech fir d'Kristallqualitéit ze verbesseren an huet héich Kristalliséierungseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Ännerungen an Ännerungen ...Liest méi -
Wat ass epitaxial Wuesstem?
Epitaxial Wuesstem ass eng Technologie déi eng eenzeg Kristallschicht op engem eenzege Kristallsubstrat (Substrat) wächst mat der selwechter Kristallorientéierung wéi de Substrat, wéi wann den ursprénglechen Kristall no bausse verlängert huet. Dës nei ugebaut Eenkristallschicht kann anescht sinn wéi de Substrat a punkto c ...Liest méi -
Wat ass den Ënnerscheed tëscht Substrat an Epitaxie?
Am Wafer Virbereedungsprozess ginn et zwee Kärlinks: een ass d'Virbereedung vum Substrat, an déi aner ass d'Ëmsetzung vum epitaxiale Prozess. De Substrat, e Wafer suergfälteg aus semiconductor Eenkristallmaterial gemaach, kann direkt an d'Waferfabrikatioun gesat ginn ...Liest méi