Am Moment sinn d'Virbereedungsmethoden vunSiC Beschichtungenthält haaptsächlech Gel-Sol Method, Embedding Method, Pinselbeschichtungsmethod, Plasma Spraymethod, Chemical Vapor Reaction Method (CVR) a Chemical Vapor Deposition Method (CVD).
Embedding Method
Dës Method ass eng Zort vun héich-Temperatur Festphase sintering, déi haaptsächlech Si-Pulver a C-Pulver als Embedding-Pulver benotzt, placéiert degraphite Matrixentgasungam embedding Pudder, an sinters bei héijer Temperatur an Inertgas, an endlech krittSiC Beschichtungop der Uewerfläch vun der Graphitmatrix. Dës Method ass einfach am Prozess, an d'Beschichtung an d'Matrix si gutt gebonnen, awer d'Beschichtungsuniformitéit laanscht d'Dicke Richtung ass schlecht, an et ass einfach méi Lächer ze produzéieren, wat zu enger schlechter Oxidatiounsresistenz resultéiert.
Pinselbeschichtungsmethod
D'Bürstbeschichtungsmethod dréit haaptsächlech d'flësseg Rohmaterial op der Uewerfläch vun der GRAPHITE Matrix, a verstäerkt dann d'Rohmaterial bei enger gewësser Temperatur fir d'Beschichtung ze preparéieren. Dës Method ass einfach am Prozess an niddreg Käschten, awer d'Beschichtung virbereet vun der Pinselbeschichtungsmethod huet eng schwaach Verbindung mat der Matrix, schlechter Beschichtungsuniformitéit, dënn Beschichtung a gerénger Oxidatiounsresistenz, a erfuerdert aner Methoden fir ze hëllefen.
Plasma Spraymethod
D'Plasma-Spraymethod benotzt haaptsächlech eng Plasma-Pistoul fir geschmollte oder semi-geschmollte Rohmaterial op der Uewerfläch vum Graphitsubstrat ze sprëtzen, an dann solidifizéiert a verbindlech fir eng Beschichtung ze bilden. Dës Method ass einfach ze bedreiwen a kann eng relativ dichte preparéierenSiliziumkarbidbeschichtung, awer denSiliziumkarbidbeschichtungmat dëser Method virbereet ass dacks ze schwaach fir staark Oxidatiounsresistenz ze hunn, sou datt et allgemeng benotzt gëtt fir SiC Kompositbeschichtungen ze preparéieren fir d'Qualitéit vun der Beschichtung ze verbesseren.
Gel-sol Method
D'Gel-Sol-Methode preparéiert haaptsächlech eng eenheetlech an transparent Sol-Léisung fir d'Uewerfläch vum Substrat ze decken, dréit et an e Gel, an dann sintert et fir eng Beschichtung ze kréien. Dës Method ass einfach ze bedreiwen an huet niddereg Käschten, mä déi preparéiert Beschichtung huet Nodeeler wéi niddereg thermesch Schock Resistenz an einfach Rëss, a kann net wäit benotzt ginn.
Chemical Vapor Reaction Method (CVR)
CVR generéiert haaptsächlech SiO Damp andeems Si a SiO2 Puder bei héijer Temperatur benotzt, an eng Serie vu chemesche Reaktiounen trëtt op der Uewerfläch vum C Material Substrat fir SiC Beschichtung ze generéieren. D'SiC-Beschichtung, déi mat dëser Method virbereet ass, ass enk mam Substrat gebonnen, awer d'Reaktiounstemperatur ass héich an d'Käschte sinn och héich.
Post Zäit: Jun-24-2024