Siliciumcarbid (SiC)ass e wichtegt breet Bandgap Hallefleitmaterial dat wäit an héich-Muecht an héich-Frequenz elektronesch Apparater benotzt gëtt. Déi folgend sinn e puer Schlëssel Parameteren vunSiliciumcarbid Wafersan hir detailléiert Erklärungen:
Gitter Parameteren:
Vergewëssert Iech datt d'Gitterkonstant vum Substrat mat der epitaxialer Schicht entsprécht fir ze wuessen fir Mängel a Stress ze reduzéieren.
Zum Beispill, 4H-SiC an 6H-SiC hu verschidde Gitterkonstanten, wat hir epitaxial Schichtqualitéit an Apparatleistung beaflosst.
Stacking Sequenz:
SiC besteet aus Siliziumatomen a Kuelestoffatomen an engem 1:1 Verhältnis op enger Makro Skala, awer d'Arrangementuerdnung vun den atomesche Schichten ass anescht, déi verschidde Kristallstrukturen bilden.
Gemeinsam Kristallsformen enthalen 3C-SiC (kubesch Struktur), 4H-SiC (sechseckeg Struktur) an 6H-SiC (sechseckeg Struktur), an déi entspriechend Stacksequenzen sinn: ABC, ABCB, ABCACB, etc. All Kristallform huet verschidden elektronesch elektronesch Formen. Charakteristiken a kierperlech Eegeschaften, sou datt déi richteg Kristallform auswielen ass entscheedend fir spezifesch Uwendungen.
Mohs Hardness: Bestëmmt d'Härheet vum Substrat, wat d'Liichtegkeet vun der Veraarbechtung an der Verschleißbeständegkeet beaflosst.
Siliziumkarbid huet eng ganz héich Mohs-Härheet, normalerweis tëscht 9-9,5, wat et e ganz haart Material mécht, gëeegent fir Uwendungen déi héich Verschleißbeständegkeet erfuerderen.
Dicht: Afloss op d'mechanesch Kraaft an thermesch Eegeschafte vum Substrat.
Héich Dicht bedeit allgemeng besser mechanesch Kraaft an thermesch Konduktivitéit.
Thermal Expansiounskoeffizient: bezitt sech op d'Erhéijung vun der Längt oder vum Volume vum Substrat relativ zu der ursprénglecher Längt oder dem Volume wann d'Temperatur ëm ee Grad Celsius eropgeet.
De Fit tëscht dem Substrat an der Epitaxialschicht ënner Temperaturännerungen beaflosst d'thermesch Stabilitéit vum Apparat.
Brechungsindex: Fir optesch Uwendungen ass de Brechungsindex e Schlësselparameter am Design vun optoelektroneschen Apparater.
Differenzen am Brechungsindex beaflossen d'Geschwindegkeet an de Wee vu Liichtwellen am Material.
Dielektresch Konstant: Afloss op d'Kapazitanzeigenschaften vum Apparat.
Eng méi niddereg dielektresch Konstant hëlleft parasitesch Kapazitéit ze reduzéieren an d'Apparatleistung ze verbesseren.
Thermesch Konduktivitéit:
Kritesch fir Héichkraaft- an Héichtemperaturapplikatiounen, déi d'Kühleffizienz vum Apparat beaflossen.
Déi héich thermesch Konduktivitéit vu Siliziumkarbid mécht et gutt fir héichkraaft elektronesch Geräter, well et effektiv Hëtzt vum Apparat ewech féiert.
Band-Gap:
bezitt sech op den Energiedifferenz tëscht der Spëtzt vun der Valenzband an dem Enn vun der Leedungsband an engem Hallefleitmaterial.
Breet Spaltmaterialien erfuerderen méi héich Energie fir Elektroneniwwergäng ze stimuléieren, wat Siliziumkarbid gutt an héijen Temperaturen an héijer Stralungsëmfeld mécht.
Elektresch Feld zerbriechen:
D'Limitspannung déi e Halbleitermaterial kann ausstoen.
Siliziumkarbid huet e ganz héich Decompte elektrescht Feld, wat et erlaabt extrem héich Spannungen ze widderstoen ouni ze briechen.
Saturatioun Drift Geschwindegkeet:
Déi maximal Duerchschnëttsgeschwindegkeet déi d'Träger kënnen erreechen nodeems e bestëmmten elektrescht Feld an engem Hallefleitmaterial applizéiert gëtt.
Wann d'elektresch Feldstäerkt op e gewëssen Niveau eropgeet, wäert d'Trägergeschwindegkeet net méi eropgoen mat weiderer Verbesserung vum elektresche Feld. D'Geschwindegkeet zu dëser Zäit gëtt d'Sättigungsdriftgeschwindegkeet genannt. SiC huet eng héich Sättigungsdriftgeschwindegkeet, wat gutt ass fir d'Realisatioun vun héich-Vitesse elektronesch Apparater.
Dës Parameteren zesummen bestëmmen d'Performance an Applikatioun vunSiC wafersa verschiddenen Uwendungen, besonnesch déi an héich-Muecht, héich-Frequenz an héich-Temperatur Ëmfeld.
Post Zäit: Jul-30-2024