Silicon Carbide Square Schachtass en High-Performance Droen-Tool entworf fir Halbleiterfabrikatioun a Veraarbechtung. Et gëtt haaptsächlech benotzt fir Präzisiounsmaterialien wéi Siliziumwaferen a Siliziumkarbidwaferen ze droen. Wéinst der extrem héicher Härtheet, der héijer Temperaturbeständegkeet a chemescher Korrosiounsbeständegkeet vu Siliciumcarbid kann de Silicon Carbide Square Tray zouverlässeg Ënnerstëtzung an haarde Prozessëmfeld ubidden. Et gëtt wäit an der Waferfabrikatioun, optoelektronescher Geräterproduktioun a Kraaftelektronesch Apparatveraarbechtung benotzt fir d'Stabilitéit vu Produkter a komplexen Ëmfeld ze garantéieren.
SemiceraSilicon Carbide Square Schachtbenotzt Präzisiounsformen a Sintertechnologie fir sécherzestellen datt de Schacht net liicht deforméiert gëtt während der héijer Temperaturbehandlung a kann déi haart Ufuerderunge vum widderholle Gebrauch widderstoen. Am Verglach mat traditionelle Quarz- oder Keramikbecher hunn Silicon Carbide Square Trays bedeitend Virdeeler an der thermescher Konduktivitéit a chemescher Korrosiounsbeständegkeet, wat d'Produktiounseffizienz an d'Produktrendung staark verbessert.
SemiceraSilicon Carbide Square Schachthunn exzellent thermesch Stabilitéit an Dimensiounsgenauegkeet, déi effektiv thermesch Expansiounsproblemer während der Siliziumwaferveraarbechtung reduzéieren, an doduerch d'Produktqualitéit verbesseren. Dës Schachte sinn och kompatibel mat Wafere vu verschiddene Gréissten, mat héijer Flexibilitéit a breet Uwendung, a kënnen d'Bedierfnesser vu verschiddene Produktiounslinnen treffen.
Wéi d'Halbleitertechnologie weider geet, ginn d'Ufuerderunge fir Paletten och graduell erop. Siliziumkarbid Quadratpaletten sinn ee vun de bevorzugte Materialien an der High-End Halbleiterfabrikatioun ginn wéinst hiren exzellente kierperlechen Eegeschaften. Semicera engagéiert sech fir d'Performance vu Siliciumcarbid Quadratpaletten kontinuéierlech ze verbesseren, fir datt se weiderhin eng Schlësselroll an der zukünfteg High-Tech-Fabrikatioun spillen.
Post Zäit: Aug-30-2024