Siliciumcarbid Schacht, och bekannt als SiC Schacht, si wichteg Materialien déi benotzt gi fir Siliziumwaferen am Halbleiterfabrikatiounsprozess ze droen. Silicon Carbide huet excellent Eegeschafte wéi héich hardness, héich Temperatur Resistenz, a corrosion Resistenz, sou ass et lues traditionell Materialien wéi Quarz a Keramik Schacht an der semiconductor Industrie ersat. Mat der Entwécklung vun der Hallefleitindustrie, besonnesch an de Beräicher 5G, optoelektronesch Geräter, Kraaftelektronik, asw.
SemiceraSiliciumcarbid Schachtbenotzt fortgeschratt Sinterprozesser während dem Fabrikatiounsprozess fir déi héich Dicht an d'Kraaft vun de Schacht ze garantéieren, wat et hinnen erlaabt eng stabil Leeschtung ënner haarde Konditiounen wéi Héichtemperatur an Héichdrock z'erhalen. Zur selwechter Zäit kann den nidderegen thermesche Expansiounskoeffizient vu Siliziumkarbidbecher den Impakt vun Temperaturännerungen op d'Veraarbechtungsgenauegkeet reduzéieren.Silicon wafers, doduerch d'Ausbezuelung vun de Produkter ze verbesseren.
DéiSiliciumcarbid Schachtentwéckelt vun Semicera sinn net nëmme gëeegent fir d'Veraarbechtung vun traditionellSilicon wafers, awer och kann an der Fabrikatioun vu Siliziumkarbidwafer benotzt ginn, wat entscheedend ass fir d'Zukunft Entwécklung vun der Hallefleitindustrie. Siliciumcarbid Wafers hunn méi héich Elektronemobilitéit a besser thermesch Konduktivitéit, wat d'Aarbechtseffizienz an d'Leeschtung vun den Apparater wesentlech verbesseren kann. Dofir ass d'Nofro fir Siliciumcarbid Schachte passend fir hir Produktioun och erop.
Mat dem kontinuéierleche Fortschrëtt vun der Halbleiter-Fabrikatiounstechnologie, ginn den Design an d'Fabrikatiounsprozess vu Siliziumkarbid-Tabletten och optimiséiert. An Zukunft wäert Semicera weider schaffen fir d'Performance vun Siliziumkarbidpaletten ze verbesseren fir d'Maartfuerderung fir héichpräzis, héich Zouverlässegkeet Paletten z'erreechen. Déi verbreet Benotzung vu Siliziumkarbidpaletten fördert net nëmmen d'Entwécklung vu Hallefleitprozeduren, awer och eng staark Ënnerstëtzung fir d'Realiséierung vu méi effizienten a stabile elektronesche Produkter.
Post Zäit: Aug-30-2024