Epitaxial Wuesstem ass eng Technologie déi eng eenzeg Kristallschicht op engem eenzege Kristallsubstrat (Substrat) wächst mat der selwechter Kristallorientéierung wéi de Substrat, wéi wann den ursprénglechen Kristall no bausse verlängert huet.Dës nei gewuess eenzeg Kristallschicht kann anescht sinn wéi de Substrat wat d'Konduktivitéitstyp, d'Resistivitéit, etc. ugeet, a ka Multi-Layer Single Kristalle mat verschiddenen Dicken a verschiddenen Ufuerderunge wuessen, sou datt d'Flexibilitéit vum Apparat Design an d'Leeschtung vum Apparat staark verbessert.Zousätzlech gëtt den epitaxiale Prozess och wäit an der PN-Kräizungsisolatiounstechnologie an integréierte Circuiten benotzt a fir d'Materialqualitéit a grousser integréierte Circuiten ze verbesseren.
D'Klassifikatioun vun der Epitaxie baséiert haaptsächlech op de verschiddene chemesche Kompositioune vum Substrat an der Epitaxialschicht an de verschiddene Wuesstumsmethoden.
No verschiddene chemesche Kompositioune kann epitaxial Wuesstem an zwou Zorte opgedeelt ginn:
1. Homoepitaxial: An dësem Fall huet d'Epitaxialschicht déiselwecht chemesch Zesummesetzung wéi de Substrat.Zum Beispill, Silizium epitaxial Schichten ginn direkt op Siliziumsubstrater ugebaut.
2. Heteroepitaxy: Hei ass d'chemesch Zesummesetzung vun der epitaxialer Schicht anescht wéi déi vum Substrat.Zum Beispill gëtt eng Galliumnitrid Epitaxialschicht op engem Saphir Substrat ugebaut.
No verschiddene Wuesstumsmethoden kann epitaxial Wuesstumstechnologie och a verschidden Aarte opgedeelt ginn:
1. Molekulare Strahlepitaxie (MBE): Dëst ass eng Technologie fir eenzel Kristalldënn Filmer op eenzel Kristallsubstrater ze wuessen, déi erreecht gëtt duerch präzis Kontroll vun der molekulare Strahlflossrate an der Strahldensitéit am ultra-héigen Vakuum.
2. Metall-organesch chemesch Dampdepositioun (MOCVD): Dës Technologie benotzt metall-organesch Verbindungen a Gasphase-Reagens fir chemesch Reaktiounen bei héijen Temperaturen ze maachen fir déi erfuerderlech dënn Filmmaterialien ze generéieren.Et huet breet Uwendungen an der Virbereedung vu Verbindungshalbleitermaterialien an Apparater.
3. Liquid Phase Epitaxie (LPE): Andeems Dir flësseg Material zu engem eenzege Kristallsubstrat bäidréit an d'Hëtztbehandlung bei enger gewësser Temperatur ausféiert, kristalliséiert d'Flëssegkeetsmaterial fir en eenzegen Kristallfilm ze bilden.D'Filmer, déi vun dëser Technologie virbereet sinn, sinn Gitter passend zum Substrat a ginn dacks benotzt fir Compound Hallefleitmaterialien an Apparater ze preparéieren.
4. Vapor Phase Epitaxy (VPE): Benotzt Gasreaktanten fir chemesch Reaktiounen bei héijen Temperaturen auszeféieren fir déi erfuerderlech dënn Filmmaterialien ze generéieren.Dës Technologie ass gëeegent fir grouss Fläch, qualitativ héichwäerteg Eenkristallfilmer ze preparéieren, an ass besonnesch aussergewéinlech bei der Virbereedung vu Compound Halbleitermaterialien an Apparater.
5. Chemesch Strahlepitaxie (CBE): Dës Technologie benotzt chemesch Strahlen fir eenzel Kristallfilmer op eenzel Kristallsubstrater ze wuessen, wat erreecht gëtt duerch präzis Kontroll vun der chemescher Strahlflossrate an der Strahldensitéit.Et huet breet Uwendungen an der Virbereedung vu qualitativ héichwäerteg Eenkristalldënn Filmer.
6. Atomesch Schichtepitaxie (ALE): Mat Atomschichtdepositiounstechnologie ginn déi erfuerderlech dënn Filmmaterialien Schicht fir Schicht op engem eenzegen Kristallsubstrat deposéiert.Dës Technologie kann grouss Fläch, héichwäerteg Eenkristallfilmer virbereeden a gëtt dacks benotzt fir Compound Halbleitermaterialien an Apparater ze preparéieren.
7. Hot Wall Epitaxy (HWE): Duerch Héichtemperaturheizung ginn Gasreaktanten op engem eenzegen Kristallsubstrat deposéiert fir en eenzegen Kristallfilm ze bilden.Dës Technologie ass och gëeegent fir grouss Fläch, qualitativ héichwäerteg Eenkristallfilmer ze preparéieren, a gëtt besonnesch an der Virbereedung vu Verbindungshalbleitermaterialien an Apparater benotzt.
Post Zäit: Mee-06-2024