Rolling bezitt sech op de Prozess fir de baussenzegen Duerchmiesser vun enger Silicium Eenkristallstab an eng eenzeg Kristallstab vum erfuerderlechen Duerchmiesser mat engem Diamantschleifrad ze schleifen, an eng flaach Rand Referenzfläch oder Positionéierungsgroove vun der eenzeger Kristallstab erauszekréien.
Déi baussenzegen Duerchmiesser Uewerfläch vun der eenzeger Kristallstab virbereet vum Eenkristallofen ass net glat a flaach, a säin Duerchmiesser ass méi grouss wéi den Duerchmiesser vum Siliziumwafer, deen an der definitiver Applikatioun benotzt gëtt. Den erfuerderleche Staang Duerchmiesser kann duerch Rolling vum baussenzegen Duerchmiesser kritt ginn.
D'Walzmillen huet d'Funktioun fir déi flaach Kante-Referenzfläch oder d'Positionéierungsgroove vun der Silizium-Kristallstang ze schleifen, dat heescht, Direktiounsprüfung op der eenzeger Kristallstab mat dem erfuerderlechen Duerchmiesser auszeféieren. Op der selwechter Walzwierkausrüstung gëtt déi flaach Rand-Referenzfläch oder Positionéierungsgroove vun der eenzeger Kristallstab gemoolt. Generell benotzen eenzel Kristallstab mat engem Duerchmiesser vu manner wéi 200 mm flaach Rand Referenzflächen, an eenzel Kristallstäben mat engem Duerchmiesser vu 200 mm a méi benotzen Positionéierungsrillen. Single Kristallstab mat engem Duerchmiesser vun 200mm kann och mat flaach Rand Referenz Fläch gemaach ginn wéi néideg. Den Zweck vun der Single Kristallstab Orientéierung Referenz Uewerfläch ass d'Bedierfnesser vun automatiséiert Positioun Operatioun vun Prozess Equipement an integréiert Circuit Fabrikatioun ze treffen; d'Kristallorientéierung an d'Konduktivitéitstyp vum Siliziumwafer unzeweisen, asw., Fir d'Produktiounsmanagement ze erliichteren; d'Haaptpositionéierungskant oder d'Positionéierungsgroove ass senkrecht zur <110> Richtung. Wärend dem Chipverpackungsprozess kann de Wierfelprozess eng natierlech Spaltung vum Wafer verursaachen, an d'Positioun kann och d'Generatioun vu Fragmenter verhënneren.
D'Haaptzwecker vun der Ronn Prozess och: Verbesserung vun der Uewerfläch Qualitéit: Rounding kann burrs an Ongläichheet op der Uewerfläch vun Silicon wafers ewechzehuelen an der Uewerfläch glatness vun Silicon wafers verbesseren, déi fir spéider photolithography an Ätz Prozesser ganz wichteg ass. Stress reduzéieren: Stress kann während dem Ausschneiden an der Veraarbechtung vu Siliziumwafer generéiert ginn. Rounding kann hëllefen dës Spannungen ze befreien an ze vermeiden datt d'Siliconwafer a spéider Prozesser briechen. Verbesserung vun der mechanescher Stäerkt vu Siliziumwafers: Wärend dem Ronnprozess ginn d'Kante vun de Siliziumwafers méi glatter, wat hëlleft fir d'mechanesch Stäerkt vun de Siliziumwafers ze verbesseren an de Schued beim Transport a Gebrauch ze reduzéieren. Assuréieren Dimensiounsgenauegkeet: Duerch Ronnung kann d'Dimensiounsgenauegkeet vu Siliziumwafere geséchert ginn, wat entscheedend ass fir d'Fabrikatioun vun Hallefleitgeräter. Verbesserung vun den elektreschen Eegeschafte vu Siliziumwafers: D'Kanteveraarbechtung vu Siliziumwafers huet e wichtegen Afloss op hir elektresch Eegeschaften. Rounding kann d'elektresch Eegeschafte vu Siliziumwafers verbesseren, sou wéi d'Reduktioun vum Leckstroum. Ästhetik: D'Kante vu Siliziumwafere si méi glat a méi schéin no der Ronn, wat och fir bestëmmte Applikatiounsszenarien néideg ass.
Post Zäit: Jul-30-2024