-
Fuerschung an Analyse vum Semiconductor Packaging Prozess
Iwwersiicht vum Semiconductor Prozess De Semiconductor Prozess involvéiert haaptsächlech d'Uwendung vu Mikrofabrizéierung a Filmtechnologien fir Chips an aner Elementer a verschiddene Regiounen, wéi Substrate a Rummen, voll ze verbannen. Dëst erliichtert d'Extraktioun vu Leadklemmen an d'Verkapselung mat engem ...Liest méi -
Nei Trends an der Semiconductor Industrie: D'Applikatioun vu Schutzbeschichtungstechnologie
D'Halbleiterindustrie ass Zeien vun onendleche Wuesstum, besonnesch am Räich vu Siliziumkarbid (SiC) Kraaftelektronik. Mat ville grouss-Skala Wafer Fabrécken am Bau oder Expansioun fir d'Erhéijung vun Nofro fir SiC Apparater an elektresche Gefierer ze treffen, dëst ...Liest méi -
Wat sinn d'Haapt Schrëtt an der Veraarbechtung vu SiC Substrate?
Wéi mir produzéiere-Veraarbechtung Schrëtt fir SiC Substrate sinn wéi follegt: 1. Kristall Orientatioun: Benotzen Röntgen Diffraktioun der Kristallsglas produzéiert ingot ze orientéieren. Wann en Röntgenstrahl op dat gewënschte Kristallsiicht geriicht ass, bestëmmt de Wénkel vum ofgebrachene Strahl d'Kristallorientéierung ...Liest méi -
E wichtegt Material, deen d'Qualitéit vum Single-Crystal Silicon Wuesstum bestëmmt - thermesch Feld
De Wuesstumsprozess vum Eenkristallsilizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass förderlech fir d'Kristallqualitéit ze verbesseren an huet héich Kristalliséierungseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Ännerungen an Ännerungen ...Liest méi -
Wat ass epitaxial Wuesstem?
Epitaxial Wuesstem ass eng Technologie déi eng eenzeg Kristallschicht op engem eenzege Kristallsubstrat (Substrat) wächst mat der selwechter Kristallorientéierung wéi de Substrat, wéi wann den ursprénglechen Kristall no bausse verlängert huet. Dës nei ugebaut Eenkristallschicht kann anescht sinn wéi de Substrat a punkto c ...Liest méi -
Wat ass den Ënnerscheed tëscht Substrat an Epitaxie?
Am Wafer Virbereedungsprozess ginn et zwee Kärlinks: een ass d'Virbereedung vum Substrat, an déi aner ass d'Ëmsetzung vum epitaxiale Prozess. De Substrat, e Wafer suergfälteg aus semiconductor Eenkristallmaterial gemaach, kann direkt an d'Waferfabrikatioun gesat ginn ...Liest méi -
Entdeckt déi villsäiteg Charakteristike vu Graphitheizungen
Graphitheizungen sinn als onverzichtbar Tools a verschiddenen Industrien entstanen wéinst hiren aussergewéinlechen Eegeschaften a Villsäitegkeet. Vun Laboratoiren bis industriell Astellungen, spillen dës Heizungen eng pivotal Roll a Prozesser, rangéiert vu Materialsynthese bis analytesch Techniken. Ënnert de verschiddene...Liest méi -
Detailléiert Erklärung vun de Virdeeler an Nodeeler vun dréchen Ätz an naass Äss
An der Hallefleitfabrikatioun gëtt et eng Technik genannt "Ätzen" wärend der Veraarbechtung vun engem Substrat oder engem dënnen Film deen um Substrat geformt gëtt. D'Entwécklung vun der Ätstechnologie huet eng Roll gespillt fir d'Prognose vum Intel Grënner Gordon Moore am Joer 1965 ze realiséieren datt "...Liest méi -
Entdeckt déi héich thermesch Effizienz a Stellar Stabilitéit vu Silicon Carbide Heizungen
Silicon Carbide (SiC) Heizungen sinn an der Spëtzt vun der thermescher Gestioun an der Hallefleitindustrie. Dësen Artikel exploréiert déi aussergewéinlech thermesch Effizienz an bemierkenswäert Stabilitéit vu SiC Heizungen, beliicht Liicht op hir entscheedend Roll fir eng optimal Leeschtung an Zouverlässegkeet an semicon ...Liest méi -
Entdeckt d'Héichstäerkt an d'Héichhärte Charakteristike vu Silicon Carbide Wafer Boote
Silicon Carbide (SiC) wafer Boote spillen eng entscheedend Roll an der Hallefleitindustrie, erliichtert d'Produktioun vu qualitativ héichwäerteg elektronesch Geräter. Dësen Artikel verdéift an déi bemierkenswäert Feature vu SiC Waferboote, konzentréiert sech op hir aussergewéinlech Kraaft an Hardness, an ënnersträicht hir Bedeitung ...Liest méi -
Déi exzellent Leeschtung vu Silicon Carbide Wafer Schëffer am Kristallwachstum
Crystal Wuesstem Prozesser leien am Häerz vun semiconductor Fabrikatioun, wou d'Produktioun vun héich-Qualitéit wafers entscheedend ass. En integralen Bestanddeel an dëse Prozesser ass de Siliziumkarbid (SiC) Waferboot. SiC Wafer Boote hu bedeitend Unerkennung an der Industrie gewonnen wéinst hirem ausser ...Liest méi -
Déi bemierkenswäert thermesch Konduktivitéit vu Graphitheizungen an Single Crystal Furnace Thermalfelder
Am Räich vun der Eenkristalluewentechnologie sinn d'Effizienz an d'Präzisioun vun der thermescher Gestioun wichteg. Optimal Temperaturuniformitéit a Stabilitéit z'erreechen ass entscheedend fir qualitativ héichwäerteg Eenkristallen ze wuessen. Fir dës Erausfuerderungen unzegoen, sinn Grafitheizungen als bemierkenswäert ...Liest méi