-
Wat sinn déi wichteg Parameter vu SiC?
Silicon Carbide (SiC) ass e wichtegt breet Bandgap Hallefleitmaterial dat wäit an héich-Muecht an héich-Frequenz elektronesch Apparater benotzt gëtt. Déi folgend sinn e puer Schlësselparameter vu Siliziumkarbidwaferen an hir detailléiert Erklärungen: Gitterparameter: Vergewëssert Iech datt d'...Liest méi -
Firwat muss Eenkristall Silizium gewalzt ginn?
Rolling bezitt sech op de Prozess fir de baussenzegen Duerchmiesser vun enger Silicium Eenkristallstab an eng eenzeg Kristallstab vum erfuerderlechen Duerchmiesser mat engem Diamantschleifrad ze schleifen, an eng flaach Rand Referenzfläch oder Positionéierungsgroove vun der eenzeger Kristallstab erauszekréien. De baussenzegen Duerchmiesser Uewerfläch ...Liest méi -
Prozesser fir High-Quality SiC-Pudder ze produzéieren
Siliziumkarbid (SiC) ass eng anorganesch Verbindung bekannt fir seng aussergewéinlech Eegeschaften. Natierlech optrieden SiC, bekannt als Moissanite, ass zimlech seelen. An industriellen Uwendungen gëtt Siliziumkarbid haaptsächlech duerch synthetesch Methoden produzéiert.Liest méi -
Kontroll vun der Radialresistivitéitsuniformitéit beim Kristallzuch
D'Haaptgrënn, déi d'Uniformitéit vun der Radialresistivitéit vun eenzel Kristalle beaflossen, sinn d'Flaachheet vun der Feststoff-Flësseg-Interface an de klenge Fligereffekt beim Kristallwachstum. , den...Liest méi -
Firwat kann Magnéitfeld Single Kristallsglas produzéiert Schmelzhäre der Qualitéit vun Single Kristallsglas produzéiert
Zënter Crucible gëtt als Container benotzt an et gëtt Konvektioun dobannen, well d'Gréisst vum generéierten Eenkristallen eropgeet, ginn d'Hëtztkonvektioun an d'Temperaturgradientuniformitéit méi schwéier ze kontrolléieren. Andeems Dir Magnéitfeld bäidréit fir déi konduktiv Schmelz op Lorentz Kraaft ze maachen, kann d'Konvektioun ...Liest méi -
Schnell Wuesstum vu SiC Eenkristallen mat CVD-SiC Bulkquelle duerch Sublimatiounsmethod
Rapid Wuesstum vu SiC Single Crystal Mat CVD-SiC Bulk Source iwwer Sublimatiounsmethod Duerch d'Recycling CVD-SiC Blocks als SiC Quell ze benotzen, goufen SiC Kristalle mat enger Rate vun 1,46 mm / h duerch d'PVT Method erfollegräich ugebaut. D'Mikropipe vum erwuessene Kristall an d'Dislokatiounsdichte weisen datt de ...Liest méi -
Optimiséiert an iwwersat Inhalt op Silicon Carbide Epitaxial Wuesstem Equipement
Silicon Carbide (SiC) Substrater hu vill Mängel déi direkt Veraarbechtung verhënneren. Fir Chipwaferen ze kreéieren, muss e spezifeschen Eenkristallfilm um SiC-Substrat duerch en epitaxiale Prozess ugebaut ginn. Dëse Film ass bekannt als Epitaxialschicht. Bal all SiC Apparater ginn op epitaxial realiséiert ...Liest méi -
Déi entscheedend Roll an Uwendungsfäll vu SiC-beschichtete Graphit-Susceptoren an der Semiconductor Fabrikatioun
Semicera Semiconductor plangt d'Produktioun vu Kärkomponenten fir Halbleiter Fabrikatiounsausrüstung weltwäit ze erhéijen. Bis 2027 ziele mir eng nei 20.000 Quadratmeter Fabréck mat enger Gesamtinvestitioun vu 70 Milliounen USD opzebauen. Ee vun eise Kärkomponenten, de Siliziumcarbid (SiC) Wafer Carr ...Liest méi -
Firwat musse mir Epitaxie op Siliziumwafer Substrate maachen?
An der Hallefleitindustrie Kette, virun allem an der drëtter Generatioun Hallefleit (breet Bandgap Halbleiter) Industriekette, ginn et Substrater an epitaxial Schichten. Wat ass d'Bedeitung vun der epitaxialer Schicht? Wat ass den Ënnerscheed tëscht dem Substrat an dem Substrat? De Substrat...Liest méi -
Semiconductor Fabrikatioun Prozess - Etch Technology
Honnerte vu Prozesser sinn erfuerderlech fir e Wafer an en Hallefleit ze maachen. Ee vun de wichtegste Prozesser ass Ätzen - dat ass, fein Circuitmuster op der Wafer ze schneiden. Den Erfolleg vum Ätzprozess hänkt vun der Gestioun vu verschiddene Variabelen bannent engem festgeluegte Verdeelungsbereich of, an all Ätzen ...Liest méi -
Ideal Material fir Fokusringen a Plasma Ätsausrüstung: Siliziumkarbid (SiC)
A Plasma Ätsausrüstung spillen Keramikkomponenten eng entscheedend Roll, dorënner de Fokusring. De Fokusring, ronderëm de Wafer plazéiert an am direkte Kontakt mat him, ass essentiell fir de Plasma op de Wafer ze fokusséieren andeems d'Spannung op de Ring applizéiert gëtt. Dëst verbessert d'Un ...Liest méi -
Effekt vun Siliziumkarbid Eenkristallveraarbechtung op Wafer Uewerflächqualitéit
Semiconductor Kraaftapparater besetzen eng Kärpositioun a Kraaftelektronesche Systemer, besonnesch am Kontext vun der rapider Entwécklung vun Technologien wéi kënschtlech Intelligenz, 5G Kommunikatiounen an nei Energieautoen, d'Leeschtungsfuerderunge fir si sinn ...Liest méi