-
D'thermesch Stabilitéit vu Quarz Komponenten an der Semiconductor Industrie
Aféierung An der Hallefleitindustrie ass d'thermesch Stabilitéit vun der gréisster Wichtegkeet fir déi zouverlässeg an effizient Operatioun vu kriteschen Komponenten ze garantéieren. Quarz, eng kristallin Form vu Siliziumdioxid (SiO2), huet bedeitend Unerkennung fir seng aussergewéinlech thermesch Stabilitéitseigenschaften gewonnen. T...Liest méi -
Korrosiounsbeständegkeet vun Tantalkarbidbeschichtungen an der Semiconductor Industrie
Titel: Korrosiounsbeständegkeet vun Tantalkarbidbeschichtungen an der Semiconductor Industrie Aféierung An der Hallefleitindustrie stellt d'Korrosioun eng bedeitend Erausfuerderung fir d'Längegkeet an d'Leeschtung vu kriteschen Komponenten. Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen sinn als villverspriechend Léisung entstanen ...Liest méi -
Wéi moosst d'Blatresistenz vun engem dënnen Film?
Dënn Filmer, déi an der Hallefleitfabrikatioun benotzt ginn, hunn all Resistenz, a Filmresistenz huet en direkten Impakt op d'Leeschtung vum Apparat. Mir moossen normalerweis net d'absolut Resistenz vum Film, awer benotze d'Blatresistenz fir et ze charakteriséieren. Wat sinn Blatresistenz a Volumenresistenz ...Liest méi -
Kann d'Applikatioun vun der CVD Siliziumkarbidbeschichtung effektiv d'Aarbechtsdauer vun de Komponenten verbesseren?
CVD Silicon Carbide Beschichtung ass eng Technologie déi en dënnen Film op der Uewerfläch vu Komponenten bildt, wat d'Komponente besser Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Héichtemperaturbeständegkeet an aner Eegeschafte maache kann. Dës exzellent Eegeschafte maachen CVD Siliziumkarbidbeschichtungen wäit u ...Liest méi -
Hutt CVD Siliziumkarbidbeschichtungen exzellent Dämpfungseigenschaften?
Jo, CVD Siliziumkarbidbeschichtungen hunn exzellent Dämpfungseigenschaften. Dämpfung bezitt sech op d'Fäegkeet vun engem Objet fir Energie ze dissipéieren an d'Amplitude vun der Schwéngung ze reduzéieren wann et Schwéngungen oder Impakt ausgesat ass. A ville Uwendungen sinn Dämpfungseigenschaften ganz importéiert ...Liest méi -
Silicon Carbide Halbleiter: eng ëmweltfrëndlech an effizient Zukunft
Am Beräich vun de Hallefleitmaterialien ass Siliziumkarbid (SiC) als villverspriechend Kandidat fir déi nächst Generatioun vun effizienten an ëmweltfrëndlechen Hallefleit entstanen. Mat sengen eenzegaartegen Eegeschaften a Potenzial, si Siliziumkarbid Hallefleit de Wee fir eng méi nohalteg ...Liest méi -
Applikatioun Perspektiven vun Silicon Carbide Wafer Boote am Halbleiterfeld
Am Halbleiterfeld ass d'Materialwahl kritesch fir d'Performance vum Apparat an d'Prozessentwécklung. An de leschte Joeren hunn Siliziumkarbidwaferen, als opkomende Material, verbreet Opmierksamkeet ugezunn an hunn e grousst Potenzial fir d'Applikatioun am Halbleiterfeld gewisen. Silico...Liest méi -
Uwendungsperspektive vu Siliziumkarbidkeramik am Beräich vun der photovoltaescher Solarenergie
An de leschte Joeren, wéi d'global Nofro fir erneierbar Energie eropgaang ass, ass photovoltaesch Solarenergie ëmmer méi wichteg ginn als propper, nohalteg Energieoptioun. An der Entwécklung vun der Photovoltaiktechnologie spillt d'Materialwëssenschaft eng entscheedend Roll. Ënnert hinnen, Siliziumkarbid Keramik, ...Liest méi -
Virbereedung Method vun gemeinsam TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler
PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) Method: Bei 900-2300 ℃, benotzt TaCl5 a CnHm als Tantal a Kuelestoffquellen, H₂ als reduzéierend Atmosphär, Ar₂as Trägergas, Reaktiounsdepositiounsfilm. D'preparéiert Beschichtung ass kompakt, eenheetlech an héich Rengheet. Wéi och ëmmer, et ginn e puer Probleemer ...Liest méi -
Uwendung vun TaC Beschichtete GRAPHITE Deeler
PART / 1 Crucible, Somhalter a Guidering am SiC an AIN Eenkristallofen goufen duerch PVT Method ugebaut. déi relativ niddreg Temperaturregioun, de SiC r ...Liest méi -
Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅱ)
Véiert, Physical Vapor Transfer Method Physical Vapor Transport (PVT) Method staamt aus der Dampphase Sublimatiounstechnologie erfonnt vu Lely am Joer 1955. De SiC Pulver gëtt an engem Grafitröhre plazéiert an op héich Temperatur erhëtzt fir de SiC Pow ze zersetzen an ze subliméieren ...Liest méi -
Struktur a Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid (Ⅰ)
Éischtens, d'Struktur an d'Eegeschafte vum SiC Kristall. SiC ass eng binär Verbindung geformt vum Si Element a C Element am Verhältnis 1: 1, dat heescht 50% Silizium (Si) a 50% Kuelestoff (C), a seng Basisstrukturell Eenheet ass SI-C Tetrahedron. Schematesch Diagramm vu Siliziumkarbidtetraëder ...Liest méi