Semicera's P-Typ SiC Substrat Wafer ass e Schlësselkomponent fir fortgeschratt elektronesch an optoelektronesch Geräter z'entwéckelen. Dës Wafere si speziell entwéckelt fir eng verstäerkte Leeschtung an Héichkraaft- an Héichtemperaturëmfeld ze bidden, déi wuessend Nofro fir effizient an haltbar Komponenten ënnerstëtzen.
D'P-Typ Doping an eise SiC Wafere suergt fir eng verbessert elektresch Konduktivitéit an d'Mobilitéit vum Ladentransporter. Dëst mécht se besonnesch gëeegent fir Uwendungen an der Kraaftelektronik, LEDs, a Photovoltaikzellen, wou niddereg Kraaftverloscht an héich Effizienz kritesch sinn.
Hiergestallt mat den héchste Standarde vu Präzisioun a Qualitéit, Semicera's P-Typ SiC Wafere bidden exzellent Uewerflächeuniformitéit a minimale Defektraten. Dës Charakteristike si vital fir Industrien wou Konsistenz an Zouverlässegkeet wesentlech sinn, sou wéi Raumfaart, Automobil an erneierbar Energiesektoren.
Dem Semicera säin Engagement fir Innovatioun an Exzellenz ass evident an eisem P-Typ SiC Substrate Wafer. Andeems Dir dës Waferen an Äre Produktiounsprozess integréiert, suergt Dir datt Är Apparater vun den aussergewéinlechen thermeschen an elektresche Properties vu SiC profitéieren, wat hinnen erlaabt effektiv ënner Erausfuerderungsbedéngungen ze bedreiwen.
Investéieren an Semicera's P-Typ SiC Substrate Wafer heescht e Produkt ze wielen dat modernste Materialwëssenschaft mat virsiichteg Ingenieur kombinéiert. Semicera ass gewidmet fir déi nächst Generatioun vun elektroneschen an optoelektroneschen Technologien z'ënnerstëtzen, déi wesentlech Komponenten ubidden fir Ären Erfolleg an der Hallefleitindustrie.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
