Semicera ass selwer entwéckeltSiC Keramik Seal Partass entwéckelt fir den héije Standarde vun der moderner Hallefleitfabrikatioun ze treffen. Dëse Versiegelungsdeel benotzt High-PerformanceSiliciumcarbid (SiC)Material mat exzellenter Verschleißbeständegkeet a chemescher Stabilitéit fir exzellent Dichtungsleistung an extremen Ëmfeld ze garantéieren. Kombinéiert matAluminiumoxid (Al2O3)anSiliziumnitrid (Si3N4), Dësen Deel funktionnéiert gutt an Héichtemperaturapplikatiounen a kann effektiv Gas- a Flëssegkeetsleckage verhënneren.
Wann benotzt a Verbindung mat Ausrüstung wéi zwafer Schëfferan Wafer Carriers, Semicera'sSiC Keramik Seal Partkann d'Effizienz an d'Zouverlässegkeet vum Gesamtsystem wesentlech verbesseren. Seng héich Temperaturbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet maachen et zu engem onverzichtbare Bestanddeel an der héijer Präzisioun Halbleiterfabrikatioun, fir Stabilitéit a Sécherheet während dem Produktiounsprozess ze garantéieren.
Zousätzlech ass den Design vun dësem Dichtungsdeel suergfälteg optimiséiert fir Kompatibilitéit mat enger Vielfalt vun Ausrüstung ze garantéieren, sou datt et einfach ass a verschiddene Produktiounslinnen ze benotzen. Dem Semicera säi R&D Team schafft weider haart fir technologesch Innovatioun ze förderen fir d'Kompetitivitéit vu senge Produkter an der Industrie ze garantéieren.
Auswiel vun Semicera'sSiC Keramik Seal Part, Dir kritt eng Kombinatioun vun héich Leeschtung an Zouverlässegkeet, hëlleft Iech méi effizient Produktiounsprozesser an exzellent Produktqualitéit z'erreechen. Semicera ass ëmmer engagéiert fir Clienten déi bescht Halbleiterléisungen a Servicer ze bidden fir déi kontinuéierlech Entwécklung a Fortschrëtt vun der Industrie ze förderen.
✓ Top Qualitéit am China Maart
✓ Gutt Service ëmmer fir Iech, 7*24 Stonnen
✓ Kuerz Liwwerdatum
✓ Kleng MOQ wëllkomm an akzeptéiert
✓ Benotzerdefinéiert Servicer
Epitaxy Wuesstem Susceptor
Silizium / Siliciumcarbid Wafere mussen duerch verschidde Prozesser goen fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. E wichtege Prozess ass Silizium / Sic Epitaxie, an där Silizium / Sic Wafere op enger Grafitbasis gedroe ginn. Besonnesch Virdeeler vum Semicera Siliziumkarbid-beschichtete Grafitbasis enthalen extrem héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung an extrem laang Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
LED Chip Produktioun
Wärend der extensiv Beschichtung vum MOCVD-Reaktor bewegt d'planetaresch Basis oder den Träger de Substratwafer. D'Performance vum Basismaterial huet e groussen Afloss op d'Beschichtungsqualitéit, wat am Tour d'Schrottrate vum Chip beaflosst. Semicera's Siliziumkarbid-beschichtete Base erhéicht d'Fabrikatiounseffizienz vu qualitativ héichwäerteg LED Waferen a miniméiert d'Wellenlängtabweichung. Mir liwweren och zousätzlech Graphitkomponente fir all MOCVD Reaktoren déi aktuell am Gebrauch sinn. Mir kënne bal all Komponent mat enger Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, och wann de Komponentdurchmesser bis zu 1,5M ass, kënne mir nach ëmmer mat Siliziumkarbid beschichten.
Semiconductor Field, Oxidatiounsdiffusiounsprozess, etc.
Am Halbleiterprozess erfuerdert den Oxidatiounsexpansiounsprozess héich Produktreinheet, a bei Semicera bidde mir personaliséiert a CVD Beschichtungsservicer fir d'Majoritéit vu Siliziumkarbiddeeler.
Déi folgend Bild weist de rau veraarbechte Siliciumcarbid-Schlämm vu Semicea an de Siliziumkarbid-Uewenröhr deen an der 100 gebotzt gëtt0- NiveauStëbs-gratisZëmmer. Eis Aarbechter schaffen virum Beschichtung. D'Rengheet vun eisem Siliziumkarbid kann 99,99% erreechen, an d'Rengheet vun der sic Beschichtung ass méi wéi 99,99995%.
Raw Silicon Carbide Paddle a SiC Prozess Tube am Cleaning
Silicon Carbide Wafer Boot CVD SiC Beschichtete
