SiC Beschichtete déif UV LED susceptor

Kuerz Beschreiwung:

De SiC Beschichtete Deep UV LED Susceptor ass e kritesche Bestanddeel an MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) Prozesser, speziell entwéckelt fir effizient a stabil déif UV LED Epitaxial Schichtwachstum z'ënnerstëtzen. Bei Semicera si mir e féierende Hiersteller a Fournisseur vu SiC Beschichtete Susceptoren, déi Produkter ubidden déi den héchste Industrienormen entspriechen. Mat Joeren Erfarung a laangfristeg Partnerschafte mat Top LED Epitaxial Hiersteller, sinn eis Susceptorléisungen weltwäit vertraut.


Produit Detailer

Produit Tags

SiC Beschichtete Deep UV LED Susceptor - Advanced MOCVD Komponent fir High-Performance Epitaxy

Iwwersiicht:De SiC Beschichtete Deep UV LED Susceptor ass e kritesche Bestanddeel an MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) Prozesser, speziell entwéckelt fir effizient a stabil déif UV LED Epitaxial Schichtwachstum z'ënnerstëtzen. Bei Semicera si mir e féierende Hiersteller a Fournisseur vu SiC Beschichtete Susceptoren, déi Produkter ubidden déi den héchste Industrienormen entspriechen. Mat Joer Erfahrung a laangfristeg Partnerschafte mat Top LED Epitaxial Hiersteller, sinn eis Susceptorléisungen weltwäit vertraut.

 

Schlëssel Fonctiounen & Virdeeler:

Optimiséiert fir Deep UV LED Epitaxy:Speziell entworf fir héich-Performance epitaxial Wuesstem vun déif UV LEDs, dorënner déi am <260nm Wellelängt Beräich (benotzt an UV-C Desinfektioun, Sterilisatioun, an aner Uwendungen).

Material & Beschichtung:Hiergestallt aus héichwäerteg SGL GRAPHITE, Beschichtete matCVD SiC, garantéiert excellent Resistenz zu NH3, HCl, an héich-Temperatur Ëmfeld. Dës haltbar Beschichtung verbessert d'Leeschtung an d'Längegkeet.

Präzisioun Thermesch Management:Fortgeschratt Veraarbechtungstechnike garantéieren eenheetlech Hëtztverdeelung, verhënnert Temperaturgradienten déi den epitaxiale Schichtwachstum beaflosse kënnen, d'Uniformitéit an d'Materialqualitéit verbesseren.

▪ Thermesch Expansiounskompatibilitéit:Entsprécht dem thermesche Expansiounskoeffizient vun AlN/GaN epitaxialen Waferen, miniméiert de Risiko vu Wafer ze kräischen oder ze knacken wärend derMOCVDProzess.

 

Upassbar op Leading MOCVD Ausrüstung: Kompatibel mat grousse MOCVD Systemer wéi Veeco K465i, EPIK 700, an Aixtron Crius, ënnerstëtzt Wafergréissten vun 2 bis 8 Zoll a bitt personaliséiert Léisunge fir Slot Design, Prozesstemperatur an aner Parameteren.

 

Uwendungen:

▪ Deep UV LED Fabrikatioun:Ideal fir d'Epitaxie vun déif UV LEDs benotzt an Uwendungen wéi UV-C Desinfektioun a Steriliséierung.

▪ Nitride Semiconductor Epitaxie:Gëeegent fir GaN an AlN epitaxial Prozesser an semiconductor Apparat Fabrikatioun.

▪ Fuerschung an Entwécklung:Ënnerstëtzt fortgeschratt Epitaxisexperimenter fir Universitéiten a Fuerschungsinstituter konzentréiert sech op déif UV Materialien an nei Technologien.

 

Firwat Semicera wielen?

▪ Bewisen Qualitéit:EisSiC beschichtetdéif UV LED susceptors ënnerleien rigoréis Verifizéierung fir sécherzestellen datt se d'Performance vun den Top internationalen Hiersteller passen.

▪ Mooss Léisungen:Mir bidden personaliséiert Produkter fir déi eenzegaarteg Bedierfnesser vun eise Clienten z'erreechen, déi optimal Leeschtung a laangfristeg Zouverlässegkeet garantéieren.

▪ Global Expertise:Als vertrauenswürdege Partner vu villeLED epitaxialHiersteller weltwäit, Semicera bréngt opzedeelen Technologie an e Räichtum vun Erfahrung fir all Projet.

 

Kontaktéiert eis haut! Entdeckt wéi Semicera Är MOCVD Prozesser mat héichqualitativen, zouverléissege SiC Beschichtete déif UV LED susceptors ënnerstëtzen kann. Kontaktéiert eis fir méi Informatioun oder fir en Devis ze froen.

 

 

Semicera Aarbechtsplaz
Semicera Aarbechtsplaz 2
Equipement Maschinn
CNN Veraarbechtung, chemesch Botzen, CVD Beschichtung
Semicera Ware House
Eise Service

  • virdrun:
  • Nächste: