Semicera Semicera bitt spezialiséiert Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir verschidde Komponenten an Träger.Semicera Semicera féierende Beschichtungsprozess erméiglecht Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir héich Rengheet, héich Temperaturstabilitéit an héich chemesch Toleranz z'erreechen, d'Produktqualitéit vun SIC / GAN Kristalle an EPI Schichten ze verbesseren (Graphit Beschichtete TaC susceptor), an d'Liewen vun de Schlësselreakterkomponenten verlängeren.D'Benotzung vun Tantalkarbid TaC Beschichtung ass fir de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, an Semicera Semicera huet den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist, an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
No Joer vun Entwécklung, Semicera huet d'Technologie vun eruewertCVD TaCmat de gemeinsame Efforte vum R&D Departement.Mängel sinn einfach am Wuesstumsprozess vu SiC Wafere optrieden, awer nom GebrauchTaC, den Ënnerscheed ass bedeitend.Drënner ass e Verglach vu Wafere mat an ouni TaC, souwéi Simicera 'Deeler fir Eenkristallwachstum.
mat an ouni TaC
Nodeems Dir TaC benotzt (riets)
Ausserdeem, Semicera'sTaC-beschichtete Produkterweisen e méi laang Liewensdauer a méi héijer Temperaturresistenz am Verglach zuSiC Beschichtungen.Labormessungen hu gewisen, datt eisTaC Beschichtungenkann konsequent bei Temperaturen bis zu 2300 Grad Celsius fir verlängert Perioden Leeschtunge.Drënner sinn e puer Beispiller vun eise Proben:
