De SemiceraSiC Cantilever Wafer Paddleass entwéckelt fir d'Ufuerderunge vun der moderner Hallefleitfabrikatioun z'erreechen. Dëstwafer paddlebitt exzellent mechanesch Kraaft an thermesch Resistenz, wat kritesch ass fir Waferen an héijen Temperaturen Ëmfeld ze handhaben.
De SiC cantilever Design erméiglecht präzis Wafer Placement, reduzéiert de Risiko vu Schued beim Ëmgank. Seng héich thermesch Konduktivitéit garantéiert datt de Wafer stabil bleift och ënner extremen Konditiounen, wat kritesch ass fir d'Produktiounseffizienz z'erhalen.
Zousätzlech zu senge strukturelle Virdeeler, Semicera'sSiC Cantilever Wafer Paddlebitt och Virdeeler am Gewiicht an Haltbarkeet. Déi liicht Konstruktioun mécht et méi einfach ze handhaben an an existéierend Systemer z'integréieren, während d'High-Density SiC Material eng laang dauerhaft Haltbarkeet ënner usprochsvollen Konditiounen garantéiert.
| Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
| Immobilie | Typesch Wäert |
| Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
| SiC Inhalt | > 99,96% |
| Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
| Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Anscheinend Porositéit | < 16% |
| Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
| Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
| Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
| Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastesche Modul | 240 GPa |
| Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |
